NTHL015N065SC1 ON Semiconductor
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Technische Details NTHL015N065SC1 ON Semiconductor
Description: ONSEMI - NTHL015N065SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 163 A, 650 V, 0.012 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 163A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.63V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 643W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: EliteSiC Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote NTHL015N065SC1 nach Preis ab 24.28 EUR bis 45.34 EUR
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NTHL015N065SC1 | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH SiC 650V 163A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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NTHL015N065SC1 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 163A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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NTHL015N065SC1 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 163A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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NTHL015N065SC1 | Hersteller : onsemi |
SiC MOSFETs Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 12 mohm, 650 V, M2, TO-247-3L |
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NTHL015N065SC1 | Hersteller : onsemi |
Description: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - 1 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 163A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 75A, 18V Power Dissipation (Max): 643W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 25mA Supplier Device Package: TO-247-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Vgs (Max): +22V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 283 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4790 pF @ 325 V |
auf Bestellung 1496 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NTHL015N065SC1 | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTHL015N065SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 163 A, 650 V, 0.012 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 163A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.63V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 643W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: EliteSiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
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| NTHL015N065SC1 | Hersteller : ON Semiconductor |
NTHL015N065SC1 |
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NTHL015N065SC1 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 163A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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| NTHL015N065SC1 | Hersteller : ONSEMI |
NTHL015N065SC1 THT N channel transistors |
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