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NTHL015N065SC1

NTHL015N065SC1 ON Semiconductor

nthl015n065sc1-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 163A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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Technische Details NTHL015N065SC1 ON Semiconductor

Description: ONSEMI - NTHL015N065SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 163 A, 650 V, 0.012 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 163A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.63V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 643W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: EliteSiC Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
NTHL015N065SC1 NTHL015N065SC1 ON Semiconductor nthl015n065sc1-d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 650V 163A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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NTHL015N065SC1 NTHL015N065SC1 ON Semiconductor nthl015n065sc1-d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 650V 163A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 357 Stücke:
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NTHL015N065SC1 NTHL015N065SC1 ON Semiconductor nthl015n065sc1-d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 650V 163A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 972 Stücke:
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100+38.02 EUR
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NTHL015N065SC1 NTHL015N065SC1 ON Semiconductor nthl015n065sc1-d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 650V 163A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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NTHL015N065SC1 NTHL015N065SC1 ON Semiconductor nthl015n065sc1-d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 650V 163A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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NTHL015N065SC1 NTHL015N065SC1 ONSEMI nthl015n065sc1-d.pdf Description: ONSEMI - NTHL015N065SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 163 A, 650 V, 0.012 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 163A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.63V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 643W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 269 Stücke:
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NTHL015N065SC1 NTHL015N065SC1 onsemi nthl015n065sc1-d.pdf SiC MOSFETs SIC MOS TO247-3L 650V
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NTHL015N065SC1 NTHL015N065SC1 onsemi nthl015n065sc1-d.pdf Description: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - 1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 163A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 75A, 18V
Power Dissipation (Max): 643W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 25mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 283 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4790 pF @ 325 V
auf Bestellung 480 Stücke:
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1+50.22 EUR
30+32.55 EUR
120+31.15 EUR
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NTHL015N065SC1 NTHL015N065SC1 ON Semiconductor nthl015n065sc1-d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 650V 163A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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NTHL015N065SC1 ONN nthl015n065sc1-d.pdf
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NTHL015N065SC1 nthl015n065sc1-d.pdf
NTHL015N065SC1
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 163A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 60 Stücke:
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NTHL015N065SC1
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 163A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 357 Stücke:
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100+38.02 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
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NTHL015N065SC1
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Trans MOSFET N-CH SiC 650V 163A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 972 Stücke:
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25+40.59 EUR
100+38.02 EUR
500+35.22 EUR
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Trans MOSFET N-CH SiC 650V 163A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 15471 Stücke:
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4+44.67 EUR
10+29.1 EUR
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Trans MOSFET N-CH SiC 650V 163A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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NTHL015N065SC1
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTHL015N065SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 163 A, 650 V, 0.012 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 163A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.63V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 643W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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5+46.65 EUR
10+41.71 EUR
50+30.48 EUR
100+30.46 EUR
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Hersteller: onsemi
SiC MOSFETs SIC MOS TO247-3L 650V
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1+50.05 EUR
10+36.1 EUR
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Description: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - 1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 163A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 75A, 18V
Power Dissipation (Max): 643W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 25mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 283 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4790 pF @ 325 V
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Trans MOSFET N-CH SiC 650V 163A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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Hersteller: ONN
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