Technische Details NTHL015N065SC1 ON Semiconductor
Description: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - 1, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 163A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 75A, 18V, Power Dissipation (Max): 643W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 25mA, Supplier Device Package: TO-247-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V, Vgs (Max): +22V, -8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 283 nC @ 18 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4790 pF @ 325 V.
Weitere Produktangebote NTHL015N065SC1 nach Preis ab 23.89 EUR bis 42.2 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis |
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NTHL015N065SC1 | ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH SiC 650V 163A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 357 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTHL015N065SC1 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 163A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 972 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTHL015N065SC1 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 163A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 15471 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTHL015N065SC1 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 163A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 15471 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTHL015N065SC1 | onsemi |
SiC MOSFETs SIC MOS TO247-3L 650V |
auf Bestellung 8 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NTHL015N065SC1 | onsemi |
Description: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - 1 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 163A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 75A, 18V Power Dissipation (Max): 643W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 25mA Supplier Device Package: TO-247-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Vgs (Max): +22V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 283 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4790 pF @ 325 V |
auf Bestellung 480 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NTHL015N065SC1 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 163A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| NTHL015N065SC1 | ONN |
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auf Bestellung 450 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| NTHL015N065SC1 |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 163A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 163A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 357 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 25+ | 33.34 EUR |
| 100+ | 31.22 EUR |
| NTHL015N065SC1 |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 163A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 163A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 972 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
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| 25+ | 33.34 EUR |
| 100+ | 31.22 EUR |
| 500+ | 28.93 EUR |
| NTHL015N065SC1 |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 163A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 163A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 15471 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 4+ | 36.68 EUR |
| 10+ | 23.89 EUR |
| NTHL015N065SC1 |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 163A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 163A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 4+ | 36.68 EUR |
| 10+ | 24.42 EUR |
| NTHL015N065SC1 |
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Hersteller: onsemi
SiC MOSFETs SIC MOS TO247-3L 650V
SiC MOSFETs SIC MOS TO247-3L 650V
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 42.06 EUR |
| 10+ | 30.34 EUR |
| NTHL015N065SC1 |
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Hersteller: onsemi
Description: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - 1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 163A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 75A, 18V
Power Dissipation (Max): 643W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 25mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 283 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4790 pF @ 325 V
Description: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - 1
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 163A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 75A, 18V
Power Dissipation (Max): 643W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 25mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 283 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4790 pF @ 325 V
auf Bestellung 480 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 42.2 EUR |
| 30+ | 27.35 EUR |
| 120+ | 26.18 EUR |
| NTHL015N065SC1 |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 163A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 163A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| NTHL015N065SC1 |
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Hersteller: ONN
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH