NTHL020N120SC1 ON Semiconductor
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| Anzahl | Preis |
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| 4+ | 41.1 EUR |
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Technische Details NTHL020N120SC1 ON Semiconductor
Description: ONSEMI - NTHL020N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 103 A, 1.2 kV, 0.02 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 103A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 535W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: EliteSiC Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote NTHL020N120SC1 nach Preis ab 30.66 EUR bis 50 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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NTHL020N120SC1 | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 103A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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NTHL020N120SC1 | Hersteller : onsemi |
SiC MOSFETs 20MW 1200V |
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NTHL020N120SC1 | Hersteller : onsemi |
Description: SICFET N-CH 1200V 103A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 103A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 60A, 20V Power Dissipation (Max): 535W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 20mA Supplier Device Package: TO-247-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V Vgs (Max): +25V, -15V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 203 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2890 pF @ 800 V |
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NTHL020N120SC1 | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTHL020N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 103 A, 1.2 kV, 0.02 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 103A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 535W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: EliteSiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
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NTHL020N120SC1 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 103A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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NTHL020N120SC1 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 103A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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NTHL020N120SC1 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 103A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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NTHL020N120SC1 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 103A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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NTHL020N120SC1 | Hersteller : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 73A; Idm: 412A; 267W Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 73A Pulsed drain current: 412A Power dissipation: 267W Case: TO247-3 On-state resistance: 28mΩ Mounting: THT Gate charge: 66nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: -15...25V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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NTHL020N120SC1 | Hersteller : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 73A; Idm: 412A; 267W Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 73A Pulsed drain current: 412A Power dissipation: 267W Case: TO247-3 On-state resistance: 28mΩ Mounting: THT Gate charge: 66nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: -15...25V |
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