Technische Details NTHL020N120SC1 ON Semiconductor
Description: ONSEMI - NTHL020N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 103 A, 1.2 kV, 0.02 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 103A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, Verlustleistung: 535W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: EliteSiC Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm.
Weitere Produktangebote NTHL020N120SC1 nach Preis ab 39.25 EUR bis 119.25 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||
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NTHL020N120SC1 | ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 103A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 80 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTHL020N120SC1 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 103A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 1800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTHL020N120SC1 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 103A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTHL020N120SC1 | onsemi |
SiC MOSFETs 20MW 1200V |
auf Bestellung 956 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NTHL020N120SC1 | onsemi |
Description: SICFET N-CH 1200V 103A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 103A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 60A, 20V Power Dissipation (Max): 535W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 20mA Supplier Device Package: TO-247-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V Vgs (Max): +25V, -15V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 203 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2890 pF @ 800 V |
auf Bestellung 176 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NTHL020N120SC1 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTHL020N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 103 A, 1.2 kV, 0.02 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 103A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins Verlustleistung: 535W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: EliteSiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 20V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm |
auf Bestellung 720 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NTHL020N120SC1 |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 103A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 103A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 5+ | 39.25 EUR |
| NTHL020N120SC1 |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 103A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 103A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 1800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 450+ | 42.2 EUR |
| NTHL020N120SC1 |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 103A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 103A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 4+ | 58.49 EUR |
| 10+ | 41.9 EUR |
| NTHL020N120SC1 |
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Hersteller: onsemi
SiC MOSFETs 20MW 1200V
SiC MOSFETs 20MW 1200V
auf Bestellung 956 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 66.89 EUR |
| 10+ | 49.49 EUR |
| 120+ | 49.35 EUR |
| NTHL020N120SC1 |
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Hersteller: onsemi
Description: SICFET N-CH 1200V 103A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 103A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 60A, 20V
Power Dissipation (Max): 535W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 20mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 203 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2890 pF @ 800 V
Description: SICFET N-CH 1200V 103A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 103A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 60A, 20V
Power Dissipation (Max): 535W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 20mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 203 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2890 pF @ 800 V
auf Bestellung 176 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 70.96 EUR |
| 30+ | 46.97 EUR |
| 120+ | 43.76 EUR |
| NTHL020N120SC1 |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTHL020N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 103 A, 1.2 kV, 0.02 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 103A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 535W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
Description: ONSEMI - NTHL020N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 103 A, 1.2 kV, 0.02 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 103A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 535W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
auf Bestellung 720 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3+ | 119.25 EUR |
| 5+ | 96.9 EUR |
| 10+ | 74.11 EUR |
| 50+ | 66.45 EUR |