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NTHL025N065SC1

NTHL025N065SC1 ON Semiconductor

nthl025n065sc1-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 99A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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Technische Details NTHL025N065SC1 ON Semiconductor

Description: ONSEMI - NTHL025N065SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 99 A, 650 V, 0.019 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 99A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 348W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: EliteSiC Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
NTHL025N065SC1 NTHL025N065SC1 onsemi nthl025n065sc1-d.pdf SiC MOSFETs SIC MOS TO247-3L 650V
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NTHL025N065SC1 NTHL025N065SC1 ONSEMI nthl025n065sc1-d.pdf Description: ONSEMI - NTHL025N065SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 99 A, 650 V, 0.019 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 99A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 348W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
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NTHL025N065SC1 NTHL025N065SC1 onsemi nthl025n065sc1-d.pdf Description: SIC MOS TO247-3L 650V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 99A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28.5mOhm @ 45A, 18V
Power Dissipation (Max): 348W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 15.5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3480 pF @ 325 V
auf Bestellung 501 Stücke:
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1+40.32 EUR
10+28.92 EUR
450+21.44 EUR
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NTHL025N065SC1 Aptina Imaging nthl025n065sc1-d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 650V 99A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 581 Stücke:
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270+19.65 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
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NTHL025N065SC1 Aptina Imaging nthl025n065sc1-d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 650V 99A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 900 Stücke:
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24+28.55 EUR
25+27.57 EUR
100+25.87 EUR
500+24.22 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
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NTHL025N065SC1 Aptina Imaging nthl025n065sc1-d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 650V 99A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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24+28.55 EUR
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Hersteller: onsemi
SiC MOSFETs SIC MOS TO247-3L 650V
auf Bestellung 1056 Stücke:
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NTHL025N065SC1
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTHL025N065SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 99 A, 650 V, 0.019 ohm, TO-247
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rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 99A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 348W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
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Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
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SVHC: Lead (27-Jun-2024)
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Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 99A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28.5mOhm @ 45A, 18V
Power Dissipation (Max): 348W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 15.5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3480 pF @ 325 V
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Trans MOSFET N-CH SiC 650V 99A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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9+20.69 EUR
270+19.65 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
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Trans MOSFET N-CH SiC 650V 99A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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24+28.55 EUR
25+27.57 EUR
100+25.87 EUR
500+24.22 EUR
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Trans MOSFET N-CH SiC 650V 99A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 70 Stücke:
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24+28.55 EUR
25+27.57 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
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