Technische Details NTHL040N120SC1 onsemi
Description: ONSEMI - NTHL040N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 60 A, 1.2 kV, 0.039 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 60A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.97V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 348W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: EliteSiC Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote NTHL040N120SC1 nach Preis ab 18.98 EUR bis 35.06 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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NTHL040N120SC1 | onsemi |
 Description: SICFET N-CH 1200V 60A TO247-3Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 35A, 20V Power Dissipation (Max): 348W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 10mA Supplier Device Package: TO-247-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V Vgs (Max): +25V, -15V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1781 pF @ 800 V |
auf Bestellung 11101 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NTHL040N120SC1 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTHL040N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 60 A, 1.2 kV, 0.039 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.97V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 348W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: EliteSiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 369 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| NTHL040N120SC1 |
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Hersteller: onsemi
Description: SICFET N-CH 1200V 60A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 35A, 20V
Power Dissipation (Max): 348W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1781 pF @ 800 V
Description: SICFET N-CH 1200V 60A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 35A, 20V
Power Dissipation (Max): 348W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1781 pF @ 800 V
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| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 35.06 EUR |
| 30+ | 22.21 EUR |
| 120+ | 19.4 EUR |
| 510+ | 18.98 EUR |
| NTHL040N120SC1 |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTHL040N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 60 A, 1.2 kV, 0.039 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.97V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 348W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - NTHL040N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 60 A, 1.2 kV, 0.039 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
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rohsPhthalatesCompliant: YES
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.97V
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Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 369 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)