NTHL045N065SC1 ON Semiconductor
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| Anzahl | Preis |
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| 11+ | 14.25 EUR |
| 13+ | 11.42 EUR |
| 30+ | 10.89 EUR |
| 60+ | 10.36 EUR |
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Technische Details NTHL045N065SC1 ON Semiconductor
Description: ONSEMI - NTHL045N065SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 66 A, 650 V, 0.032 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 66A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 291W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: EliteSiC Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote NTHL045N065SC1 nach Preis ab 10.35 EUR bis 19.38 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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NTHL045N065SC1 | Hersteller : onsemi |
 SiC MOSFETs SIC MOS TO247-3L 650V |
auf Bestellung 1575 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NTHL045N065SC1 | Hersteller : onsemi |
Description: SIC MOS TO247-3L 650V Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 25A, 18V Power Dissipation (Max): 291W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 8mA Supplier Device Package: TO-247-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Vgs (Max): +22V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870 pF @ 325 V |
auf Bestellung 1666 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NTHL045N065SC1 | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTHL045N065SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 66 A, 650 V, 0.032 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 66A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 291W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: EliteSiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 546 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NTHL045N065SC1 | Hersteller : Aptina Imaging |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 66A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 323 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTHL045N065SC1 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 66A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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NTHL045N065SC1 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 66A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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NTHL045N065SC1 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 66A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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NTHL045N065SC1 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 66A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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| NTHL045N065SC1 | Hersteller : ONSEMI |
NTHL045N065SC1 THT N channel transistors |
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