Produkte > ONSEMI > NTHL045N065SC1
NTHL045N065SC1

NTHL045N065SC1 onsemi

nthl045n065sc1-d.pdf Hersteller: onsemi
Description: SIC MOS TO247-3L 650V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 25A, 18V
Power Dissipation (Max): 291W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 8mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870 pF @ 325 V
auf Bestellung 862 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+22.81 EUR
10+ 20.09 EUR
100+ 17.38 EUR
500+ 15.75 EUR
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details NTHL045N065SC1 onsemi

Description: ONSEMI - NTHL045N065SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 66 A, 650 V, 0.032 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 66A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 291W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm, SVHC: Lead (14-Jun-2023).

Weitere Produktangebote NTHL045N065SC1 nach Preis ab 19.53 EUR bis 28.31 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis ohne MwSt
NTHL045N065SC1 NTHL045N065SC1 Hersteller : onsemi NTHL045N065SC1_D-3150440.pdf MOSFET SIC MOS TO247-3L 650V
auf Bestellung 1608 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2+28.31 EUR
10+ 24.96 EUR
25+ 24.28 EUR
50+ 22.93 EUR
100+ 21.58 EUR
250+ 20.9 EUR
450+ 19.53 EUR
Mindestbestellmenge: 2
NTHL045N065SC1 NTHL045N065SC1 Hersteller : ONSEMI NTHL045N065SC1-D.PDF Description: ONSEMI - NTHL045N065SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 66 A, 650 V, 0.032 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 66A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 291W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
auf Bestellung 646 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTHL045N065SC1 NTHL045N065SC1 Hersteller : ON Semiconductor nthl045n065sc1-d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 650V 66A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
NTHL045N065SC1 NTHL045N065SC1 Hersteller : ON Semiconductor nthl045n065sc1-d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 650V 66A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
NTHL045N065SC1 NTHL045N065SC1 Hersteller : ON Semiconductor nthl045n065sc1-d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 650V 66A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar