NTHL099N60S5 onsemi
Hersteller: onsemiMOSFETs Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET V, Easy Drive, 600 V, 33 A, 99 mohm, TO-247
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| Anzahl | Preis |
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| 1+ | 9.2 EUR |
| 10+ | 6.44 EUR |
| 120+ | 5.4 EUR |
| 1020+ | 5.33 EUR |
| 2520+ | 5.19 EUR |
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Technische Details NTHL099N60S5 onsemi
Description: ONSEMI - NTHL099N60S5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 33 A, 0.0792 ohm, TO-247LL, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 33A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 184W, Bauform - Transistor: TO-247LL, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: SUPERFET V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0792ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote NTHL099N60S5 nach Preis ab 5.6 EUR bis 9.42 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||||
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NTHL099N60S5 | Hersteller : onsemi |
Description: NTHL099N60S5 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 13.5A, 10V Power Dissipation (Max): 184W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.8mA Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 400 V |
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NTHL099N60S5 | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTHL099N60S5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 33 A, 0.0792 ohm, TO-247LL, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 33A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 184W Bauform - Transistor: TO-247LL Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: SUPERFET V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0792ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
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NTHL099N60S5 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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NTHL099N60S5 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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NTHL099N60S5 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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| NTHL099N60S5 | Hersteller : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 33A; Idm: 95A; 184W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 33A Power dissipation: 184W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 99mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 95A Gate charge: 48nC Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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| NTHL099N60S5 | Hersteller : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 33A; Idm: 95A; 184W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 33A Power dissipation: 184W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 99mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 95A Gate charge: 48nC |
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