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NTHL1000N170M1

NTHL1000N170M1 onsemi

NTHL1000N170M1_D-3150250.pdf Hersteller: onsemi
SiC MOSFETs Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 960 mohm, 1700 V, M1, TO-247-3L Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 960 mohm, 1700 V, M1, TO-247-3L
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Technische Details NTHL1000N170M1 onsemi

Description: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET EL, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.43Ohm @ 2A, 20V, Power Dissipation (Max): 48W, Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 640µA, Supplier Device Package: TO-247-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V, Vgs (Max): +25V, -15V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 20 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 1000 V.

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NTHL1000N170M1 NTHL1000N170M1 Hersteller : onsemi NTHL1000N170M1-D.PDF Description: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET EL
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.43Ohm @ 2A, 20V
Power Dissipation (Max): 48W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 640µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 1000 V
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NTHL1000N170M1 Hersteller : ON Semiconductor nthl1000n170m1-d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 4.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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