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Technische Details NTHL110N65S3F onsemi
Description: ONSEMI - NTHL110N65S3F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.098 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 30A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 240W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: SUPERFET III FRFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.098ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote NTHL110N65S3F nach Preis ab 8.85 EUR bis 11.37 EUR
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NTHL110N65S3F | Hersteller : onsemi |
 Description: MOSFET N-CH 650V 30A TO247-3Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 240W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 3mA Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2560 pF @ 400 V |
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NTHL110N65S3F | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTHL110N65S3F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.098 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 240W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: SUPERFET III FRFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.098ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
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NTHL110N65S3F | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 650V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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NTHL110N65S3F | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 650V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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NTHL110N65S3F | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 650V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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| NTHL110N65S3F | Hersteller : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 19.5A; Idm: 69A; 240W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 19.5A Power dissipation: 240W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.11Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 58nC Pulsed drain current: 69A Anzahl je Verpackung: 450 Stücke |
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| NTHL110N65S3F | Hersteller : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 19.5A; Idm: 69A; 240W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 19.5A Power dissipation: 240W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.11Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 58nC Pulsed drain current: 69A |
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