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NTHL160N120SC1

NTHL160N120SC1 ON Semiconductor


nthl160n120sc1-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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Technische Details NTHL160N120SC1 ON Semiconductor

Description: SICFET N-CH 1200V 17A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 224mOhm @ 12A, 20V, Power Dissipation (Max): 119W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 2.5mA, Supplier Device Package: TO-247-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V, Vgs (Max): +25V, -15V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 20 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 665 pF @ 800 V.

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NTHL160N120SC1 NTHL160N120SC1 Hersteller : ON Semiconductor nthl160n120sc1-d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 17A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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NTHL160N120SC1 NTHL160N120SC1 Hersteller : onsemi nthl160n120sc1-d.pdf SiC MOSFETs SIC MOS TO247-3L 160MOHM 1200V
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NTHL160N120SC1 NTHL160N120SC1 Hersteller : onsemi nthl160n120sc1-d.pdf Description: SICFET N-CH 1200V 17A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 224mOhm @ 12A, 20V
Power Dissipation (Max): 119W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 665 pF @ 800 V
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NTHL160N120SC1 NTHL160N120SC1 Hersteller : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAB9C13DAA45B960C7&compId=NTHL160N120SC1.PDF?ci_sign=c717d8e84721511fa32e0a71bba611e3703b0361 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 12A; Idm: 69A; 59W
Mounting: THT
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 12A
On-state resistance: 0.16Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 59W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 34nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -15...25V
Pulsed drain current: 69A
Case: TO247-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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NTHL160N120SC1 NTHL160N120SC1 Hersteller : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAB9C13DAA45B960C7&compId=NTHL160N120SC1.PDF?ci_sign=c717d8e84721511fa32e0a71bba611e3703b0361 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 12A; Idm: 69A; 59W
Mounting: THT
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 12A
On-state resistance: 0.16Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 59W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 34nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -15...25V
Pulsed drain current: 69A
Case: TO247-3
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