NTHS4101PT1G onsemi
Hersteller: onsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 4.8A CHIPFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 4.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: ChipFET™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 16 V
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Technische Details NTHS4101PT1G onsemi
Description: ONSEMI - NTHS4101PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.8 A, 0.021 ohm, ChipFET, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 1.3W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.3W, Bauform - Transistor: ChipFET, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.021ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Weitere Produktangebote NTHS4101PT1G nach Preis ab 0.67 EUR bis 1.67 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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NTHS4101PT1G | Hersteller : onsemi |
MOSFET -20V -6.7A P-Channel |
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NTHS4101PT1G | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 20V 4.8A CHIPFET Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SMD, Flat Lead Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 4.8A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: ChipFET™ Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 16 V |
auf Bestellung 8830 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NTHS4101PT1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTHS4101PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.8 A, 0.021 ohm, ChipFET, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 1.3W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.3W Bauform - Transistor: ChipFET Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.021ohm Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
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NTHS4101PT1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTHS4101PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.8 A, 0.021 ohm, ChipFET, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES Verlustleistung: 1.3W Kanaltyp: p-Kanal euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 8089 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTHS4101PT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 4.8A 8-Pin Chip FET T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| NTHS4101PT1G | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.8A; 0.7W; ChipFET Mounting: SMD Case: ChipFET Kind of package: reel; tape Power dissipation: 0.7W Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±8V Drain-source voltage: -20V On-state resistance: 34mΩ Polarisation: unipolar Type of transistor: P-MOSFET Drain current: -4.8A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| NTHS4101PT1G | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.8A; 0.7W; ChipFET Mounting: SMD Case: ChipFET Kind of package: reel; tape Power dissipation: 0.7W Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±8V Drain-source voltage: -20V On-state resistance: 34mΩ Polarisation: unipolar Type of transistor: P-MOSFET Drain current: -4.8A |
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