NTJD4105CT2G ON Semiconductor
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Technische Details NTJD4105CT2G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - NTJD4105CT2G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 630 mA, 630 mA, 0.29 ohm, tariffCode: 85412100, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 630mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 630mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.29ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 270mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.29ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 270mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote NTJD4105CT2G nach Preis ab 0.11 EUR bis 0.67 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||||||
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NTJD4105CT2G | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N/P-CH 20V/8V 0.91A/1.1A 6-Pin SC-88 T/R |
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NTJD4105CT2G | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N/P-CH 20V/8V 0.63A SC88 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 270mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, 8V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA, 775mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46pF @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 375mOhm @ 630mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 |
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NTJD4105CT2G | Hersteller : onsemi |
MOSFETs 20V/-8V 0.63A/-.775A Complementary |
auf Bestellung 3710 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NTJD4105CT2G | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N/P-CH 20V/8V 0.63A SC88 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 270mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, 8V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA, 775mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46pF @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 375mOhm @ 630mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 |
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NTJD4105CT2G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTJD4105CT2G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 630 mA, 630 mA, 0.29 ohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 630mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 630mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.29ohm Verlustleistung, p-Kanal: 270mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.29ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 270mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 64395 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTJD4105CT2G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTJD4105CT2G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 630 mA, 630 mA, 0.29 ohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 630mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 630mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.29ohm Verlustleistung, p-Kanal: 270mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.29ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 270mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 65170 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTJD4105CT2G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N/P-CH 20V/8V 0.91A/1.1A 6-Pin SC-88 T/R |
auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTJD4105CT2G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N/P-CH 20V/8V 0.91A/1.1A 6-Pin SC-88 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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NTJD4105CT2G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N/P-CH 20V/8V 0.91A/1.1A 6-Pin SC-88 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| NTJD4105CT2G | Hersteller : ONSEMI |
NTJD4105CT2G Multi channel transistors |
Produkt ist nicht verfügbar |