Weitere Produktangebote NTJD5121NT1G nach Preis ab 0.039 EUR bis 0.44 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||||||
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NTJD5121NT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 60V 0.295A 6-Pin SC-88 T/R |
auf Bestellung 60000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTJD5121NT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.295A 6-Pin SC-88 T/R |
auf Bestellung 321000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTJD5121NT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.295A 6-Pin SC-88 T/R |
auf Bestellung 210000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTJD5121NT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.295A 6-Pin SC-88 T/R |
auf Bestellung 21000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTJD5121NT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.295A 6-Pin SC-88 T/R |
auf Bestellung 21000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTJD5121NT1G | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SC88 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 250mW Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 295mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26pF @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 |
auf Bestellung 192000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NTJD5121NT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.295A 6-Pin SC-88 T/R |
auf Bestellung 9794 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTJD5121NT1G | Hersteller : ONSEMI |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.295A; 0.25W; ESD Case: SC70-6; SC88; SOT363 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.295A Gate charge: 0.9nC On-state resistance: 2.5Ω Power dissipation: 0.25W Gate-source voltage: ±20V Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement Version: ESD Type of transistor: N-MOSFET x2 |
auf Bestellung 2197 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTJD5121NT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.295A 6-Pin SC-88 T/R |
auf Bestellung 9794 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTJD5121NT1G | Hersteller : onsemi |
MOSFETs NFET SC88D 60V 295mA |
auf Bestellung 171134 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NTJD5121NT1G | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SC88 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 250mW Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 295mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26pF @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 |
auf Bestellung 194543 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NTJD5121NT1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTJD5121NT1G - DUAL N CHANNEL MOSFET, 60V, SC-88 tariffCode: 85412100 MSL: MSL 1 - Unlimited productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES Anzahl der Pins: 6Pin(s) euEccn: NLR isCanonical: Y hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - directShipCharge: 25 usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 7961 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTJD5121NT1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTJD5121NT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 304 mA, 304 mA, 1 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 304mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 304mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1ohm Verlustleistung, p-Kanal: 266mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 266mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 5390 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NTJD5121NT1G | Hersteller : ON-Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.295A 6-Pin SOT-363 NTJD5121NT1G TNTJD5121n Anzahl je Verpackung: 50 Stücke |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| NTJD5121NT1G | Hersteller : On Semiconductor |
MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SC88 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
Produkt ist nicht verfügbar |