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NTJD5121NT1G

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Produktcode: 185670
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Transistoren > MOSFET N-CH

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
NTJD5121NT1G NTJD5121NT1G ON Semiconductor ntjd5121n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.295A 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30000+0.069 EUR
60000+0.065 EUR
Mindestbestellmenge: 30000 Stücke
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NTJD5121NT1G NTJD5121NT1G ON Semiconductor ntjd5121n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.295A 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 210000 Stücke:
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9434+0.07 EUR
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NTJD5121NT1G NTJD5121NT1G ON Semiconductor ntjd5121n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.295A 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 321000 Stücke:
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9434+0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 9434 Stücke
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NTJD5121NT1G NTJD5121NT1G ON Semiconductor ntjd5121n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.295A 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 21000 Stücke:
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3000+0.081 EUR
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NTJD5121NT1G NTJD5121NT1G ON Semiconductor ntjd5121n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.295A 6-Pin SC-88 T/R
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NTJD5121NT1G NTJD5121NT1G ON Semiconductor ntjd5121n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.295A 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 9794 Stücke:
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1632+0.11 EUR
1645+0.11 EUR
1664+0.1 EUR
1829+0.09 EUR
3000+0.063 EUR
6000+0.055 EUR
Mindestbestellmenge: 1632 Stücke
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NTJD5121NT1G NTJD5121NT1G onsemi ntjd5121n-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 295mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
auf Bestellung 126000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.11 EUR
6000+0.099 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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NTJD5121NT1G NTJD5121NT1G ON Semiconductor ntjd5121n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.295A 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 9794 Stücke:
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665+0.26 EUR
895+0.19 EUR
905+0.18 EUR
1632+0.096 EUR
1645+0.092 EUR
1664+0.087 EUR
1829+0.076 EUR
3000+0.054 EUR
6000+0.048 EUR
Mindestbestellmenge: 665 Stücke
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NTJD5121NT1G NTJD5121NT1G ONSEMI NTJD5121N_NVJD5121N.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.295A; 0.25W; ESD
Mounting: SMD
Case: SC70-6; SC88; SOT363
On-state resistance: 2.5Ω
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.25W
Gate charge: 0.9nC
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Drain current: 0.295A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET x2
Gate-source voltage: ±20V
auf Bestellung 13685 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
278+0.31 EUR
379+0.23 EUR
467+0.18 EUR
549+0.15 EUR
644+0.13 EUR
783+0.11 EUR
898+0.095 EUR
1021+0.083 EUR
3000+0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 278 Stücke
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NTJD5121NT1G NTJD5121NT1G onsemi ntjd5121n-d.pdf MOSFETs NFET SC88D 60V 295mA
auf Bestellung 171134 Stücke:
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7+0.5 EUR
11+0.31 EUR
100+0.19 EUR
500+0.17 EUR
1000+0.14 EUR
3000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
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NTJD5121NT1G NTJD5121NT1G onsemi ntjd5121n-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 295mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
auf Bestellung 127440 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
38+0.57 EUR
60+0.35 EUR
100+0.21 EUR
500+0.15 EUR
1000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 38 Stücke
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NTJD5121NT1G NTJD5121NT1G ONSEMI ntjd5121n-d.pdf Description: ONSEMI - NTJD5121NT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 304 mA, 304 mA, 1 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 304mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 304mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 266mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 266mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 4275 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
415+0.61 EUR
681+0.35 EUR
1087+0.2 EUR
1306+0.17 EUR
1435+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 415 Stücke
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NTJD5121NT1G NTJD5121NT1G ONSEMI ONSM-S-A0013576913-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NTJD5121NT1G - DUAL N CHANNEL MOSFET, 60V, SC-88
tariffCode: 85412100
MSL: MSL 1 - Unlimited
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
auf Bestellung 7961 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
351+0.71 EUR
559+0.42 EUR
676+0.32 EUR
855+0.25 EUR
962+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 351 Stücke
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NTJD5121NT1G ON-Semiconductor ntjd5121n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.295A 6-Pin SOT-363 NTJD5121NT1G TNTJD5121n
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
100+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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NTJD5121NT1G ntjd5121n-d.pdf
NTJD5121NT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.295A 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
30000+0.069 EUR
60000+0.065 EUR
Mindestbestellmenge: 30000 Stücke
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NTJD5121NT1G ntjd5121n-d.pdf
NTJD5121NT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.295A 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 210000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
9434+0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 9434 Stücke
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NTJD5121NT1G ntjd5121n-d.pdf
NTJD5121NT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.295A 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 321000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
9434+0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 9434 Stücke
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NTJD5121NT1G ntjd5121n-d.pdf
NTJD5121NT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.295A 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.081 EUR
9000+0.061 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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NTJD5121NT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.295A 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.081 EUR
9000+0.061 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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NTJD5121NT1G ntjd5121n-d.pdf
NTJD5121NT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.295A 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 9794 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1632+0.11 EUR
1645+0.11 EUR
1664+0.1 EUR
1829+0.09 EUR
3000+0.063 EUR
6000+0.055 EUR
Mindestbestellmenge: 1632 Stücke
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NTJD5121NT1G ntjd5121n-d.pdf
NTJD5121NT1G
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 295mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
auf Bestellung 126000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.11 EUR
6000+0.099 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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NTJD5121NT1G ntjd5121n-d.pdf
NTJD5121NT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.295A 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 9794 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
665+0.26 EUR
895+0.19 EUR
905+0.18 EUR
1632+0.096 EUR
1645+0.092 EUR
1664+0.087 EUR
1829+0.076 EUR
3000+0.054 EUR
6000+0.048 EUR
Mindestbestellmenge: 665 Stücke
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NTJD5121NT1G NTJD5121N_NVJD5121N.pdf
NTJD5121NT1G
Hersteller: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.295A; 0.25W; ESD
Mounting: SMD
Case: SC70-6; SC88; SOT363
On-state resistance: 2.5Ω
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.25W
Gate charge: 0.9nC
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Drain current: 0.295A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET x2
Gate-source voltage: ±20V
auf Bestellung 13685 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
278+0.31 EUR
379+0.23 EUR
467+0.18 EUR
549+0.15 EUR
644+0.13 EUR
783+0.11 EUR
898+0.095 EUR
1021+0.083 EUR
3000+0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 278 Stücke
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NTJD5121NT1G ntjd5121n-d.pdf
NTJD5121NT1G
Hersteller: onsemi
MOSFETs NFET SC88D 60V 295mA
auf Bestellung 171134 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
7+0.5 EUR
11+0.31 EUR
100+0.19 EUR
500+0.17 EUR
1000+0.14 EUR
3000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
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NTJD5121NT1G ntjd5121n-d.pdf
NTJD5121NT1G
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 295mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
auf Bestellung 127440 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
38+0.57 EUR
60+0.35 EUR
100+0.21 EUR
500+0.15 EUR
1000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 38 Stücke
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NTJD5121NT1G ntjd5121n-d.pdf
NTJD5121NT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTJD5121NT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 304 mA, 304 mA, 1 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 304mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 304mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 266mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 266mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 4275 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
415+0.61 EUR
681+0.35 EUR
1087+0.2 EUR
1306+0.17 EUR
1435+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 415 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTJD5121NT1G ONSM-S-A0013576913-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NTJD5121NT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTJD5121NT1G - DUAL N CHANNEL MOSFET, 60V, SC-88
tariffCode: 85412100
MSL: MSL 1 - Unlimited
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
auf Bestellung 7961 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
351+0.71 EUR
559+0.42 EUR
676+0.32 EUR
855+0.25 EUR
962+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 351 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTJD5121NT1G ntjd5121n-d.pdf
Hersteller: ON-Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.295A 6-Pin SOT-363 NTJD5121NT1G TNTJD5121n
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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