
NTJD5121NT1G ON Semiconductor
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Anzahl | Preis |
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9434+ | 0.06 EUR |
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Technische Details NTJD5121NT1G ON Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SC88, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 250mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 295mA, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26pF @ 20V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9nC @ 4.5V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363.
Weitere Produktangebote NTJD5121NT1G nach Preis ab 0.04 EUR bis 0.44 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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NTJD5121NT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
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NTJD5121NT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
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NTJD5121NT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
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NTJD5121NT1G | Hersteller : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 250mW Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 295mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26pF @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 |
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NTJD5121NT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
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NTJD5121NT1G | Hersteller : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.295A; 0.25W; ESD Case: SC70-6; SC88; SOT363 Mounting: SMD Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.295A On-state resistance: 2.5Ω Type of transistor: N-MOSFET x2 Power dissipation: 0.25W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Version: ESD Gate charge: 0.9nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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NTJD5121NT1G | Hersteller : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.295A; 0.25W; ESD Case: SC70-6; SC88; SOT363 Mounting: SMD Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.295A On-state resistance: 2.5Ω Type of transistor: N-MOSFET x2 Power dissipation: 0.25W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Version: ESD Gate charge: 0.9nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V |
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NTJD5121NT1G | Hersteller : onsemi |
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NTJD5121NT1G | Hersteller : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 250mW Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 295mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26pF @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 |
auf Bestellung 46276 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NTJD5121NT1G | Hersteller : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412100 MSL: MSL 1 - Unlimited productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES Anzahl der Pins: 6Pin(s) euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - directShipCharge: 25 usEccn: EAR99 |
auf Bestellung 42643 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTJD5121NT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
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auf Bestellung 24000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTJD5121NT1G | Hersteller : ON-Semicoductor |
![]() Anzahl je Verpackung: 50 Stücke |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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NTJD5121NT1G Produktcode: 185670
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