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NTJS3151PT1G

NTJS3151PT1G onsemi

ntjs3151p-d.pdf
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET P-CH 12V 2.7A SC88/SC70-6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 4.5 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.3A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
auf Bestellung 32 Stücke:
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Technische Details NTJS3151PT1G onsemi

Description: ONSEMI - NTJS3151PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 2.7 A, 0.06 ohm, SC-88, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 12V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V, Verlustleistung: 625mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SC-88, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
NTJS3151PT1G NTJS3151PT1G onsemi ntjs3151p-d.pdf MOSFETs 12V 3.3A P-Channel
auf Bestellung 7001 Stücke:
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3+1.13 EUR
10+0.7 EUR
100+0.44 EUR
500+0.33 EUR
1000+0.3 EUR
3000+0.24 EUR
9000+0.21 EUR
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NTJS3151PT1G NTJS3151PT1G ONSEMI 2578362.pdf Description: ONSEMI - NTJS3151PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 2.7 A, 0.06 ohm, SC-88, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 625mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SC-88
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
auf Bestellung 4100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
198+1.26 EUR
334+0.69 EUR
503+0.43 EUR
663+0.32 EUR
1500+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 198 Stücke
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NTJS3151PT1G NTJS3151PT1G ONSEMI 2578362.pdf Description: ONSEMI - NTJS3151PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 2.7 A, 0.06 ohm, SC-88, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Dauer-Drainstrom Id: 2.7A
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Qualifikation: -
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 625mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SC-88
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
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Description: ONSEMI - NTJS3151PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 2.7 A, 0.06 ohm, SC-88, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SC-88
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
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Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
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Description: ONSEMI - NTJS3151PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 2.7 A, 0.06 ohm, SC-88, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Verlustleistung: 625mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SC-88
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
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Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
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