Produkte > ONSEMI > NTJS4151PT1G
NTJS4151PT1G

NTJS4151PT1G onsemi

ntjs4151p-d.pdf
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET P-CH 20V 3.3A SC88/SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 10 V
auf Bestellung 90000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.21 EUR
6000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details NTJS4151PT1G onsemi

Description: ONSEMI - NTJS4151PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.2 A, 0.06 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV, Verlustleistung: 1W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm.

Weitere Produktangebote NTJS4151PT1G nach Preis ab 0.17 EUR bis 1.05 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
NTJS4151PT1G NTJS4151PT1G ON Semiconductor ntjs4151p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 3.3A 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 5925 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
302+0.58 EUR
437+0.39 EUR
441+0.38 EUR
583+0.29 EUR
1000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 302 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTJS4151PT1G NTJS4151PT1G ONSEMI ntjs4151p-d.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.4A; 1W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.4A
Power dissipation: 1W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 140 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
140+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 140 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTJS4151PT1G NTJS4151PT1G ON Semiconductor ntjs4151p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 3.3A 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 5925 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
254+0.69 EUR
299+0.56 EUR
302+0.54 EUR
437+0.36 EUR
441+0.33 EUR
583+0.25 EUR
1000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 254 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTJS4151PT1G NTJS4151PT1G onsemi NTJS4151P_D-2318568.pdf MOSFETs -20V -4.2A P-Channel
auf Bestellung 97457 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.76 EUR
10+0.51 EUR
100+0.24 EUR
1000+0.21 EUR
3000+0.19 EUR
9000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTJS4151PT1G NTJS4151PT1G onsemi ntjs4151p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 3.3A SC88/SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 10 V
auf Bestellung 90469 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
20+1.05 EUR
33+0.64 EUR
100+0.42 EUR
500+0.31 EUR
1000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTJS4151PT1G NTJS4151PT1G ONSEMI ONSM-S-A0014983106-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NTJS4151PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.2 A, 0.06 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
Verlustleistung: 1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
auf Bestellung 28460 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
238+1.05 EUR
376+0.62 EUR
572+0.38 EUR
736+0.29 EUR
1500+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 238 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTJS4151PT1G ntjs4151p-d.pdf
NTJS4151PT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 3.3A 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 5925 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
302+0.58 EUR
437+0.39 EUR
441+0.38 EUR
583+0.29 EUR
1000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 302 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTJS4151PT1G ntjs4151p-d.pdf
NTJS4151PT1G
Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.4A; 1W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.4A
Power dissipation: 1W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 140 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
140+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 140 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTJS4151PT1G ntjs4151p-d.pdf
NTJS4151PT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 3.3A 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 5925 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
254+0.69 EUR
299+0.56 EUR
302+0.54 EUR
437+0.36 EUR
441+0.33 EUR
583+0.25 EUR
1000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 254 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTJS4151PT1G NTJS4151P_D-2318568.pdf
NTJS4151PT1G
Hersteller: onsemi
MOSFETs -20V -4.2A P-Channel
auf Bestellung 97457 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5+0.76 EUR
10+0.51 EUR
100+0.24 EUR
1000+0.21 EUR
3000+0.19 EUR
9000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTJS4151PT1G ntjs4151p-d.pdf
NTJS4151PT1G
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET P-CH 20V 3.3A SC88/SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 10 V
auf Bestellung 90469 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
20+1.05 EUR
33+0.64 EUR
100+0.42 EUR
500+0.31 EUR
1000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTJS4151PT1G ONSM-S-A0014983106-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NTJS4151PT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTJS4151PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.2 A, 0.06 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
Verlustleistung: 1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
auf Bestellung 28460 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
238+1.05 EUR
376+0.62 EUR
572+0.38 EUR
736+0.29 EUR
1500+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 238 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH