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NTJS4151PT1G

NTJS4151PT1G ONSEMI

ntjs4151p-d.pdf Hersteller: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.4A; 1W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.4A
Power dissipation: 1W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 2995 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
285+0.25 EUR
410+ 0.17 EUR
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Technische Details NTJS4151PT1G ONSEMI

Description: ONSEMI - NTJS4151PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.2 A, 0.047 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 1W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.047ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).

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NTJS4151PT1G NTJS4151PT1G Hersteller : ONSEMI ntjs4151p-d.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.4A; 1W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.4A
Power dissipation: 1W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 2995 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
285+0.25 EUR
410+ 0.17 EUR
465+ 0.15 EUR
510+ 0.14 EUR
535+ 0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 285
NTJS4151PT1G NTJS4151PT1G Hersteller : onsemi ntjs4151p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 3.3A SC88/SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 10 V
auf Bestellung 6000 Stücke:
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3000+0.25 EUR
6000+ 0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
NTJS4151PT1G NTJS4151PT1G Hersteller : ON Semiconductor ntjs4151p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 3.3A 6-Pin SC-88 T/R
auf Bestellung 5925 Stücke:
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Anzahl Preis ohne MwSt
302+0.52 EUR
437+ 0.35 EUR
441+ 0.33 EUR
583+ 0.24 EUR
1000+ 0.16 EUR
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NTJS4151PT1G NTJS4151PT1G Hersteller : ON Semiconductor ntjs4151p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 3.3A 6-Pin SC-88 T/R
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254+0.62 EUR
299+ 0.51 EUR
302+ 0.48 EUR
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583+ 0.22 EUR
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NTJS4151PT1G NTJS4151PT1G Hersteller : onsemi NTJS4151P_D-2318568.pdf MOSFET -20V -4.2A P-Channel
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9000+ 0.23 EUR
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NTJS4151PT1G NTJS4151PT1G Hersteller : onsemi ntjs4151p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 3.3A SC88/SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 10 V
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28+0.94 EUR
36+ 0.73 EUR
100+ 0.44 EUR
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1000+ 0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 28
NTJS4151PT1G NTJS4151PT1G Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0014983106-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NTJS4151PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.2 A, 0.047 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.047ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 17775 Stücke:
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NTJS4151PT1G NTJS4151PT1G Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0014983106-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NTJS4151PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.2 A, 0.047 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
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Kanaltyp: p-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
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NTJS4151PT1G NTJS4151PT1G Hersteller : ON Semiconductor ntjs4151p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 3.3A 6-Pin SC-88 T/R
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NTJS4151PT1G NTJS4151PT1G Hersteller : ON Semiconductor ntjs4151p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 3.3A 6-Pin SC-88 T/R
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NTJS4151PT1G NTJS4151PT1G Hersteller : ON Semiconductor ntjs4151p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 3.3A 6-Pin SC-88 T/R
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