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Technische Details NTJS4405NT1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - NTJS4405NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 1 A, 0.249 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 25V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 630mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 630mW, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.249ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.249ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Weitere Produktangebote NTJS4405NT1G nach Preis ab 0.17 EUR bis 1.21 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||||
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NTJS4405NT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 25V 1A 6-Pin SC-88 T/R |
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NTJS4405NT1G | Hersteller : onsemi |
MOSFET 25V 1.2A N-Channel |
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NTJS4405NT1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTJS4405NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 1 A, 0.249 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 630mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 630mW Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.249ohm Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.249ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
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NTJS4405NT1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTJS4405NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 1 A, 0.249 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES Verlustleistung: 630mW Kanaltyp: n-Kanal euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.249ohm rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
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NTJS4405NT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 25V 1A 6-Pin SC-88 T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NTJS4405NT1G | Hersteller : ON |
07+; |
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| NTJS4405NT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
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NTJS4405NT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 25V 1A 6-Pin SC-88 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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NTJS4405NT1G | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 25V 1A SC88/SC70-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 600mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 630mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 10 V |
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NTJS4405NT1G | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 25V 1A SC88/SC70-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 600mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 630mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 10 V |
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