NTLGF3501NT2G onsemi
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 20V 2.8A 6DFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 275 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: 6-DFN (3x3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.14W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.4A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad
Packaging: Bulk
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Technische Details NTLGF3501NT2G onsemi
Description: MOSFET N-CH 20V 2.8A 6DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-VDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.4A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 1.14W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: 6-DFN (3x3), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 275 pF @ 10 V.
Weitere Produktangebote NTLGF3501NT2G
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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NTLGF3501NT2G | ON Semiconductor |
MOSFET NFET 3X3 20V 3.0A 9MOHM |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| NTLGF3501NT2G |
|
auf Bestellung 112 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| NTLGF3501NT2G |
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Hersteller: ON Semiconductor
MOSFET NFET 3X3 20V 3.0A 9MOHM
MOSFET NFET 3X3 20V 3.0A 9MOHM
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| NTLGF3501NT2G |
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auf Bestellung 112 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)