NTLJD3119CTBG ON Semiconductor
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Technische Details NTLJD3119CTBG ON Semiconductor
Description: ONSEMI - NTLJD3119CTBG - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 4.6 A, 4.6 A, 0.037 ohm, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4.6A, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.6A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.037ohm, Verlustleistung Pd: 2.3W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV, Verlustleistung, p-Kanal: 2.3W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: WDFN, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.037ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Komplementärer n- und p-Kanal, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2.3W, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.037ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Weitere Produktangebote NTLJD3119CTBG nach Preis ab 0.36 EUR bis 1.98 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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NTLJD3119CTBG | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N/P-CH 20V 3.8A/3.3A 6-Pin WDFN EP T/R |
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NTLJD3119CTBG | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N/P-CH 20V 2.6A 6WDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 710mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A, 2.3A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 271pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.8A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.7nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2) Part Status: Active |
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NTLJD3119CTBG | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N/P-CH 20V 3.8A/3.3A 6-Pin WDFN EP T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTLJD3119CTBG | Hersteller : onsemi |
MOSFET COMP 2X2 20V 3.8A 100mOhm |
auf Bestellung 97400 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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NTLJD3119CTBG | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N/P-CH 20V 2.6A 6WDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 710mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A, 2.3A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 271pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.8A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.7nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2) Part Status: Active |
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NTLJD3119CTBG | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTLJD3119CTBG - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 4.6 A, 4.6 A, 0.037 ohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.6A Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.6A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.037ohm Verlustleistung Pd: 2.3W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV Verlustleistung, p-Kanal: 2.3W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: WDFN Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.037ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Komplementärer n- und p-Kanal Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2.3W Betriebswiderstand, Rds(on): 0.037ohm Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
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NTLJD3119CTBG | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N/P-CH 20V 3.8A/3.3A 6-Pin WDFN EP T/R |
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NTLJD3119CTBG | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N/P-CH 20V 3.8A/3.3A 6-Pin WDFN EP T/R |
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NTLJD3119CTBG | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N/P-CH 20V 3.8A/3.3A 6-Pin WDFN EP T/R |
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| NTLJD3119CTBG | Hersteller : ONSEMI |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V Type of transistor: N/P-MOSFET Polarisation: unipolar Kind of transistor: complementary pair Drain-source voltage: 20/-20V Drain current: 2.8/-2.4A Power dissipation: 1.5W Case: WDFN6 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 65/100mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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| NTLJD3119CTBG | Hersteller : ONSEMI |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V Type of transistor: N/P-MOSFET Polarisation: unipolar Kind of transistor: complementary pair Drain-source voltage: 20/-20V Drain current: 2.8/-2.4A Power dissipation: 1.5W Case: WDFN6 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 65/100mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
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