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NTLJF4156NT1G

NTLJF4156NT1G onsemi

ntljf4156n-d.pdf
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 2.5A 6WDFN
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 427 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 710mW (Ta)
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tj)
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.36 EUR
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Technische Details NTLJF4156NT1G onsemi

Description: ONSEMI - NTLJF4156NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.7 A, 0.07 ohm, WDFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.5W, Bauform - Transistor: WDFN, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

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NTLJF4156NT1G NTLJF4156NT1G onsemi ntljf4156n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 2.5A 6WDFN
Power Dissipation (Max): 710mW (Ta)
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tj)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 427 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
auf Bestellung 12053 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
17+1.07 EUR
20+0.91 EUR
100+0.63 EUR
500+0.5 EUR
1000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 17
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NTLJF4156NT1G NTLJF4156NT1G onsemi NTLJF4156N_D-2318630.pdf MOSFETs NFET 2X2 30V 4A 70MOHM
auf Bestellung 7391 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.2 EUR
10+0.89 EUR
100+0.61 EUR
500+0.48 EUR
1000+0.4 EUR
3000+0.33 EUR
9000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 3
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NTLJF4156NT1G NTLJF4156NT1G ONSEMI ONSM-S-A0014426505-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NTLJF4156NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.7 A, 0.07 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1080 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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NTLJF4156NT1G NTLJF4156NT1G ONSEMI ONSM-S-A0014426505-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NTLJF4156NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.7 A, 0.07 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
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Dauer-Drainstrom Id: 3.7A
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isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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Description: MOSFET N-CH 30V 2.5A 6WDFN
Power Dissipation (Max): 710mW (Ta)
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tj)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 427 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
auf Bestellung 12053 Stücke:
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTLJF4156NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.7 A, 0.07 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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Dauer-Drainstrom Id: 3.7A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
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Description: ONSEMI - NTLJF4156NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.7 A, 0.07 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
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Qualifikation: -
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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