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NTLJS3D0N02P8ZTAG

NTLJS3D0N02P8ZTAG onsemi

ntljs3d0n02p8z-d.pdf Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 20V 12.1A 6PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 10A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 860mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2165 pF @ 10 V
auf Bestellung 6000 Stücke:
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Technische Details NTLJS3D0N02P8ZTAG onsemi

Description: MOSFET N-CH 20V 12.1A 6PQFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-PowerWDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.1A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 10A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 860mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA, Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2165 pF @ 10 V.

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NTLJS3D0N02P8ZTAG NTLJS3D0N02P8ZTAG Hersteller : onsemi ntljs3d0n02p8z-d.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 12.1A 6PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 10A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 860mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2165 pF @ 10 V
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NTLJS3D0N02P8ZTAG NTLJS3D0N02P8ZTAG Hersteller : onsemi NTLJS3D0N02P8Z_D-1628006.pdf MOSFETs PT8 20V WDFN POWER CLIP
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NTLJS3D0N02P8ZTAG Hersteller : ONSEMI ntljs3d0n02p8z-d.pdf NTLJS3D0N02P8ZTAG SMD N channel transistors
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NTLJS3D0N02P8ZTAG Hersteller : ON Semiconductor ntljs3d0n02p8z-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 20.2A 6-Pin WDFN EP T/R
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