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Technische Details NTLJS4114NT1G onsemi
Description: ONSEMI - NTLJS4114NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 7.8 A, 0.0203 ohm, WDFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 7.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 3.3W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3.3W, Bauform - Transistor: WDFN, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0203ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0203ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote NTLJS4114NT1G nach Preis ab 0.64 EUR bis 2.15 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||
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NTLJS4114NT1G | Hersteller : onsemi |
 Description: MOSFET N-CH 30V 3.6A 6WDFNPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 700mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 15 V |
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NTLJS4114NT1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTLJS4114NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 7.8 A, 0.0203 ohm, WDFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 3.3W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV euEccn: NLR Verlustleistung: 3.3W Bauform - Transistor: WDFN Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0203ohm Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0203ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
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| NTLJS4114NT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
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| NTLJS4114NT1G | Hersteller : ONSEMI |
NTLJS4114NT1G SMD N channel transistors |
Produkt ist nicht verfügbar |
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NTLJS4114NT1G | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 30V 3.6A 6WDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 700mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 15 V |
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