NTLJS4114NT1G ONSEMI
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTLJS4114NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 7.8 A, 0.0203 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.8A
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Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 3.3W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.3W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0203ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0203ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
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Technische Details NTLJS4114NT1G ONSEMI
Description: ONSEMI - NTLJS4114NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 7.8 A, 0.0203 ohm, WDFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 7.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 3.3W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3.3W, Bauform - Transistor: WDFN, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0203ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0203ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote NTLJS4114NT1G nach Preis ab 0.65 EUR bis 2.56 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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NTLJS4114NT1G | onsemi |
MOSFETs NFET 2X2 30V 7.8A 33mOhm |
auf Bestellung 3663 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NTLJS4114NT1G | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 30V 3.6A 6WDFN Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±12V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Power Dissipation (Max): 700mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 2A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad Packaging: Cut Tape (CT) |
auf Bestellung 1023 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NTLJS4114NT1G | ON Semiconductor |
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auf Bestellung 2733 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| NTLJS4114NT1G |
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Hersteller: onsemi
MOSFETs NFET 2X2 30V 7.8A 33mOhm
MOSFETs NFET 2X2 30V 7.8A 33mOhm
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 1.81 EUR |
| 10+ | 1.61 EUR |
| 100+ | 1.09 EUR |
| 500+ | 0.92 EUR |
| 1000+ | 0.77 EUR |
| 3000+ | 0.7 EUR |
| 6000+ | 0.65 EUR |
| NTLJS4114NT1G |
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Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 3.6A 6WDFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 2A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: MOSFET N-CH 30V 3.6A 6WDFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 2A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
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| 9+ | 2.56 EUR |
| 13+ | 1.62 EUR |
| 100+ | 1.07 EUR |
| 500+ | 0.83 EUR |
| 1000+ | 0.76 EUR |
| NTLJS4114NT1G |
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Hersteller: ON Semiconductor
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