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Technische Details NTMD6P02R2G onsemi
Category: SMD P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -5.7A; 2W; SO8, Type of transistor: P-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: -20V, Drain current: -5.7A, Power dissipation: 2W, Case: SO8, Gate-source voltage: ±12V, On-state resistance: 33mΩ, Mounting: SMD, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhanced, Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke.
Weitere Produktangebote NTMD6P02R2G nach Preis ab 1.42 EUR bis 1.42 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||
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NTMD6P02R2G | Hersteller : ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 6.2A 8-Pin SOIC N T/R |
auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTMD6P02R2G | Hersteller : ON-Semicoductor |
Transistor 2xP-Channel MOSFET; 20V; 12V; 50mOhm; 6,2A; 1,28W; -55°C ~ 150°C; NTMD6P02R2G TNTMD6p02 Anzahl je Verpackung: 25 Stücke |
auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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NTMD6P02R2G | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -5.7A; 2W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -5.7A Power dissipation: 2W Case: SO8 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 33mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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NTMD6P02R2G | Hersteller : onsemi | Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.8A 8SOIC |
Produkt ist nicht verfügbar |
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NTMD6P02R2G | Hersteller : onsemi | Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.8A 8SOIC |
Produkt ist nicht verfügbar |
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NTMD6P02R2G | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -5.7A; 2W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -5.7A Power dissipation: 2W Case: SO8 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 33mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
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