Produkte > ONSEMI > NTMFD5C674NLT1G
NTMFD5C674NLT1G

NTMFD5C674NLT1G onsemi

ntmfd5c674nl-d.pdf Hersteller: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 60V 11A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 37W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 42A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.4mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1500+0.58 EUR
3000+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 1500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details NTMFD5C674NLT1G onsemi

Description: ONSEMI - NTMFD5C674NLT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 42 A, 42 A, 0.0117 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 42A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 42A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0117ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 37W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: DFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0117ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 37W, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Weitere Produktangebote NTMFD5C674NLT1G nach Preis ab 0.68 EUR bis 2.11 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
NTMFD5C674NLT1G NTMFD5C674NLT1G Hersteller : onsemi NTMFD5C674NL_D-2318855.pdf MOSFET T6 60V LL S08FL DS
auf Bestellung 5899 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+2.01 EUR
10+1.74 EUR
100+1.33 EUR
500+1.13 EUR
1500+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFD5C674NLT1G NTMFD5C674NLT1G Hersteller : onsemi ntmfd5c674nl-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 11A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 37W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 42A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.4mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
auf Bestellung 3731 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
9+2.11 EUR
14+1.32 EUR
100+0.87 EUR
500+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 9
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFD5C674NLT1G NTMFD5C674NLT1G Hersteller : ONSEMI 2620003.pdf Description: ONSEMI - NTMFD5C674NLT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 42 A, 42 A, 0.0117 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 42A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0117ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 37W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0117ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 37W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 1488 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFD5C674NLT1G NTMFD5C674NLT1G Hersteller : ON Semiconductor NTMFD5C674NL_D-2318855.pdf MOSFET T6 60V LL S08FL DS
auf Bestellung 2987 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFD5C674NLT1G NTMFD5C674NLT1G Hersteller : ONSEMI 2620003.pdf Description: ONSEMI - NTMFD5C674NLT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 42 A, 42 A, 0.0117 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 42A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0117ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 37W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0117ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 37W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 1488 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFD5C674NLT1G Hersteller : ON Semiconductor ntmfd5c674nl-d.pdf
auf Bestellung 1250 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFD5C674NLT1G Hersteller : ONSEMI ntmfd5c674nl-d.pdf NTMFD5C674NLT1G SMD N channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH