NTMFS002N10MCLT1G ON Semiconductor
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Technische Details NTMFS002N10MCLT1G ON Semiconductor
Description: PTNG 100V LL SO8FL HE, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 175A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 189W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 351µA, Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 97 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 50 V.
Weitere Produktangebote NTMFS002N10MCLT1G nach Preis ab 2.71 EUR bis 6.39 EUR
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Preis | ||||||||||||||||
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NTMFS002N10MCLT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 100V 22A 5-Pin SO-FL EP T/R |
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NTMFS002N10MCLT1G | Hersteller : onsemi |
Description: PTNG 100V LL SO8FL HE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 175A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 189W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 351µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 97 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 50 V |
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NTMFS002N10MCLT1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTMFS002N10MCLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 175 A, 0.0023 ohm, DFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 175A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 189W Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 5Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
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NTMFS002N10MCLT1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTMFS002N10MCLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 175 A, 0.0023 ohm, DFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 175A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 189W Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 5Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
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| NTMFS002N10MCLT1G | Hersteller : onsemi |
MOSFET MOSFET - Power, Single, N-Channel 100 V, 2.8 mohm, 175A MOSFET - Power, Single, N-Channel 100 V, 2.8 mohm, 175A |
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NTMFS002N10MCLT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 22A 5-Pin SO-FL EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| NTMFS002N10MCLT1G | Hersteller : ONSEMI |
NTMFS002N10MCLT1G SMD N channel transistors |
Produkt ist nicht verfügbar |
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NTMFS002N10MCLT1G | Hersteller : onsemi |
Description: PTNG 100V LL SO8FL HE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 175A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 189W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 351µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 97 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 50 V |
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