NTMFS008N12MCT1G ONSEMI
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFS008N12MCT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 79 A, 6500 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
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Verlustleistung Pd: 102W
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Verlustleistung: 102W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
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Wandlerpolarität: n-Kanal
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Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0065ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm
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Technische Details NTMFS008N12MCT1G ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFS008N12MCT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 79 A, 6500 µohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 120V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 79A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 102W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 102W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOIC, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0065ohm, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm.
Weitere Produktangebote NTMFS008N12MCT1G nach Preis ab 1.84 EUR bis 5.95 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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NTMFS008N12MCT1G | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 120V 12A 5-Pin SO-FL EP T/R |
auf Bestellung 4500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTMFS008N12MCT1G | onsemi |
MOSFETs Single N-Channel Power MOSFET 120V, 79A, 8mohm |
auf Bestellung 1194 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NTMFS008N12MCT1G | onsemi |
Description: SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET 12 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2705 pF @ 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 102W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 36A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 79A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Packaging: Cut Tape (CT) |
auf Bestellung 696 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NTMFS008N12MCT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTMFS008N12MCT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 79 A, 6500 µohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 120V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 79A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 102W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm |
auf Bestellung 454 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NTMFS008N12MCT1G |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 120V 12A 5-Pin SO-FL EP T/R
Trans MOSFET N-CH 120V 12A 5-Pin SO-FL EP T/R
auf Bestellung 4500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 226+ | 2.89 EUR |
| 500+ | 2.57 EUR |
| 1000+ | 2.31 EUR |
| NTMFS008N12MCT1G |
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Hersteller: onsemi
MOSFETs Single N-Channel Power MOSFET 120V, 79A, 8mohm
MOSFETs Single N-Channel Power MOSFET 120V, 79A, 8mohm
auf Bestellung 1194 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 4.57 EUR |
| 10+ | 2.78 EUR |
| 100+ | 2.32 EUR |
| 500+ | 2.18 EUR |
| 1000+ | 1.86 EUR |
| 1500+ | 1.84 EUR |
| NTMFS008N12MCT1G |
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Hersteller: onsemi
Description: SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET 12
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2705 pF @ 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
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Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 102W (Tc)
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Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 79A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET 12
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2705 pF @ 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 102W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 36A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 79A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 5+ | 4.58 EUR |
| 10+ | 3.81 EUR |
| 100+ | 3.03 EUR |
| 500+ | 2.57 EUR |
| NTMFS008N12MCT1G |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFS008N12MCT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 79 A, 6500 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 102W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm
Description: ONSEMI - NTMFS008N12MCT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 79 A, 6500 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
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isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 102W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
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Produktpalette: -
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usEccn: EAR99
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm
auf Bestellung 454 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 43+ | 5.95 EUR |
| 69+ | 3.37 EUR |
| 100+ | 2.4 EUR |