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NTMFS008N12MCT1G

NTMFS008N12MCT1G onsemi


ntmfs008n12mc-d.pdf Hersteller: onsemi
Description: SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET 12
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 79A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 36A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 102W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2705 pF @ 60 V
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Technische Details NTMFS008N12MCT1G onsemi

Description: ONSEMI - NTMFS008N12MCT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 79 A, 0.0065 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 120V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 79A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 102W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 102W, Bauform - Transistor: SOIC, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0065ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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NTMFS008N12MCT1G NTMFS008N12MCT1G Hersteller : onsemi ntmfs008n12mc-d.pdf MOSFETs Single N-Channel Power MOSFET 120V, 79A, 8mohm
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NTMFS008N12MCT1G NTMFS008N12MCT1G Hersteller : ONSEMI 3213448.pdf Description: ONSEMI - NTMFS008N12MCT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 79 A, 0.0065 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 79A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 102W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 454 Stücke:
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Verlustleistung Pd: 102W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
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Verlustleistung: 102W
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Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
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Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
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NTMFS008N12MCT1G NTMFS008N12MCT1G Hersteller : ON Semiconductor ntmfs008n12mc-d.pdf Trans MOSFET N-CH 120V 12A 5-Pin SO-FL EP T/R
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NTMFS008N12MCT1G Hersteller : ONSEMI ntmfs008n12mc-d.pdf NTMFS008N12MCT1G SMD N channel transistors
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NTMFS008N12MCT1G NTMFS008N12MCT1G Hersteller : onsemi ntmfs008n12mc-d.pdf Description: SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET 12
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 79A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 36A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 102W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2705 pF @ 60 V
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