NTMFS015N10MCLT1G ON Semiconductor
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Technische Details NTMFS015N10MCLT1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - NTMFS015N10MCLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 54 A, 0.0097 ohm, DFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 54A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 79W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 79W, Bauform - Transistor: DFN, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0097ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0097ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Weitere Produktangebote NTMFS015N10MCLT1G nach Preis ab 0.69 EUR bis 2.75 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||||
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NTMFS015N10MCLT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 100V 10.5A 5-Pin SO-FL EP T/R |
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NTMFS015N10MCLT1G | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 100V 10.5A/54A 5DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), 54A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.2mOhm @ 14A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 79W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 282µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13380 pF @ 50 V |
auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NTMFS015N10MCLT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 10.5A 5-Pin SO-FL EP T/R |
auf Bestellung 396 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTMFS015N10MCLT1G | Hersteller : onsemi |
MOSFETs PTNG 100V LL NCH SO-8FL FOR INDUSTRIAL MARKET |
auf Bestellung 6372 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NTMFS015N10MCLT1G | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 100V 10.5A/54A 5DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), 54A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.2mOhm @ 14A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 79W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 282µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13380 pF @ 50 V |
auf Bestellung 1869 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NTMFS015N10MCLT1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTMFS015N10MCLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 54 A, 0.0097 ohm, DFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 54A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 79W Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0097ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 1292 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTMFS015N10MCLT1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTMFS015N10MCLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 54 A, 0.0097 ohm, DFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 54A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 79W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 79W Bauform - Transistor: DFN Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0097ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0097ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 1292 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTMFS015N10MCLT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 10.5A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R |
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| NTMFS015N10MCLT1G | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 54A; Idm: 423A; 79W; DFN5 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 54A Pulsed drain current: 423A Power dissipation: 79W Case: DFN5 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 12.2mΩ Mounting: SMD Gate charge: 19nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1500 Stücke |
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| NTMFS015N10MCLT1G | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 54A; Idm: 423A; 79W; DFN5 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 54A Pulsed drain current: 423A Power dissipation: 79W Case: DFN5 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 12.2mΩ Mounting: SMD Gate charge: 19nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
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