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NTMFS0D4N04XMT1G

NTMFS0D4N04XMT1G ON Semiconductor

ntmfs0d4n04xm-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
N-Channel MOSFET
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Technische Details NTMFS0D4N04XMT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - NTMFS0D4N04XMT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 509 A, 420 µohm, DFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 509A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 197W, Bauform - Transistor: DFN, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 420µohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
NTMFS0D4N04XMT1G NTMFS0D4N04XMT1G ON Semiconductor ntmfs0d4n04xm-d.pdf N-Channel MOSFET
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NTMFS0D4N04XMT1G ONSEMI 4164768.pdf Description: ONSEMI - NTMFS0D4N04XMT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 509 A, 420 µohm, DFN, Oberflächenmontage
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Verlustleistung: 197W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
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Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 420µohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
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NTMFS0D4N04XMT1G ONSEMI 4164768.pdf Description: ONSEMI - NTMFS0D4N04XMT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 509 A, 420 µohm, DFN, Oberflächenmontage
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Anzahl der Pins: 5Pin(s)
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Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 420µohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
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NTMFS0D4N04XMT1G ONN
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Description: ONSEMI - NTMFS0D4N04XMT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 509 A, 420 µohm, DFN, Oberflächenmontage
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Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
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rohsPhthalatesCompliant: YES
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Verlustleistung: 197W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
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Description: ONSEMI - NTMFS0D4N04XMT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 509 A, 420 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 509A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
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euEccn: NLR
Verlustleistung: 197W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
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productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 420µohm
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