NTMFS0D6N03CT1G ON Semiconductor
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Technische Details NTMFS0D6N03CT1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - NTMFS0D6N03CT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 433 A, 0.00052 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 433A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 200W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200W, Bauform - Transistor: SOIC, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 520µohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00052ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote NTMFS0D6N03CT1G nach Preis ab 1.35 EUR bis 4.65 EUR
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NTMFS0D6N03CT1G | Hersteller : onsemi |
 Description: MOSFET, POWER, SINGLE N-CHANNEL,Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta), 433A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.62mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 280µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10500 pF @ 15 V |
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NTMFS0D6N03CT1G | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET, POWER, SINGLE N-CHANNEL, Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta), 433A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.62mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 280µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10500 pF @ 15 V |
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NTMFS0D6N03CT1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTMFS0D6N03CT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 433 A, 0.00052 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 433A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 200W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00052ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
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NTMFS0D6N03CT1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTMFS0D6N03CT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 433 A, 0.00052 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 433A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 200W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 200W Bauform - Transistor: SOIC Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 520µohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00052ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 369 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NTMFS0D6N03CT1G | Hersteller : onsemi |
MOSFETs MOSFET, Power, Single N-Channel, 30V, SO-8FL |
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NTMFS0D6N03CT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 60A 5-Pin SO-FL EP T/R |
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NTMFS0D6N03CT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 60A 5-Pin SO-FL EP T/R |
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NTMFS0D6N03CT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 60A 5-Pin SO-FL EP T/R |
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NTMFS0D6N03CT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 60A 5-Pin SO-FL EP T/R |
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| NTMFS0D6N03CT1G | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 433A; Idm: 900A; 200W; DFN5 Case: DFN5 Drain-source voltage: 30V Drain current: 433A On-state resistance: 620µΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 200W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 65nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 900A Mounting: SMD Anzahl je Verpackung: 1500 Stücke |
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| NTMFS0D6N03CT1G | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 433A; Idm: 900A; 200W; DFN5 Case: DFN5 Drain-source voltage: 30V Drain current: 433A On-state resistance: 620µΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 200W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 65nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 900A Mounting: SMD |
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