NTMFS0D7N04XLT1G ON Semiconductor
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| Anzahl | Preis |
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| 104+ | 1.34 EUR |
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| 500+ | 1.12 EUR |
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Technische Details NTMFS0D7N04XLT1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - NTMFS0D7N04XLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 349 A, 700 µohm, DFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 349A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 167W, Bauform - Transistor: DFN, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 700µohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Weitere Produktangebote NTMFS0D7N04XLT1G nach Preis ab 1.07 EUR bis 4.19 EUR
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Preis | ||||||||||||||
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NTMFS0D7N04XLT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 40V 349A 5-Pin SO-FL EP T/R |
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NTMFS0D7N04XLT1G | Hersteller : onsemi |
MOSFETs 40V T10S IN S08FL PACKAGE |
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NTMFS0D7N04XLT1G | Hersteller : onsemi |
Description: 40V T10S IN S08FL PACKAGE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 349A (Tc) Power Dissipation (Max): 167W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7090 pF @ 20 V |
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NTMFS0D7N04XLT1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTMFS0D7N04XLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 349 A, 700 µohm, DFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 349A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 167W Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 700µohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
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NTMFS0D7N04XLT1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTMFS0D7N04XLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 349 A, 700 µohm, DFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 349A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 167W Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 700µohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
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NTMFS0D7N04XLT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 40V 349A 5-Pin SO-FL EP T/R |
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NTMFS0D7N04XLT1G | Hersteller : onsemi |
Description: 40V T10S IN S08FL PACKAGE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 349A (Tc) Power Dissipation (Max): 167W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7090 pF @ 20 V |
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