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NTMFS0D8N02P1ET1G

NTMFS0D8N02P1ET1G onsemi

ntmfs0d8n02p1e-d.pdf Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 25V 55A/365A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Ta), 365A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.68mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 2mA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8600 pF @ 13 V
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Technische Details NTMFS0D8N02P1ET1G onsemi

Description: ONSEMI - NTMFS0D8N02P1ET1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 365 A, 0.00044 ohm, DFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 25V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 365A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 139W, Bauform - Transistor: DFN, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 440µohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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NTMFS0D8N02P1ET1G NTMFS0D8N02P1ET1G Hersteller : ON Semiconductor ntmfs0d8n02p1e-d.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 55A 5-Pin SO-FL EP T/R
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63+2.27 EUR
64+2.16 EUR
65+2.05 EUR
100+1.94 EUR
250+1.83 EUR
500+1.72 EUR
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NTMFS0D8N02P1ET1G NTMFS0D8N02P1ET1G Hersteller : ON Semiconductor ntmfs0d8n02p1e-d.pdf Trans MOSFET N-CH 25V 55A 5-Pin SO-FL EP T/R
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NTMFS0D8N02P1ET1G NTMFS0D8N02P1ET1G Hersteller : onsemi NTMFS0D8N02P1E-D.PDF MOSFETs MOSFET, Power, 25V Single N-Channel, SO-8FL
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NTMFS0D8N02P1ET1G NTMFS0D8N02P1ET1G Hersteller : onsemi ntmfs0d8n02p1e-d.pdf Description: MOSFET N-CH 25V 55A/365A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Ta), 365A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.68mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 2mA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8600 pF @ 13 V
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NTMFS0D8N02P1ET1G NTMFS0D8N02P1ET1G Hersteller : ONSEMI ntmfs0d8n02p1e-d.pdf Description: ONSEMI - NTMFS0D8N02P1ET1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 365 A, 0.00044 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 365A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 139W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 440µohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 6 Stücke:
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NTMFS0D8N02P1ET1G NTMFS0D8N02P1ET1G Hersteller : ONSEMI ntmfs0d8n02p1e-d.pdf Description: ONSEMI - NTMFS0D8N02P1ET1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 365 A, 0.00044 ohm, DFN, Oberflächenmontage
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
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Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 440µohm
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NTMFS0D8N02P1ET1G Hersteller : ONSEMI ntmfs0d8n02p1e-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 365A; Idm: 762A; 139W; SO8
Power dissipation: 139W
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 52nC
On-state resistance: 0.68mΩ
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 365A
Pulsed drain current: 762A
Kind of channel: enhancement
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