NTMFS0D8N02P1ET1G onsemi
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 25V 55A/365A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Ta), 365A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.68mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 2mA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8600 pF @ 13 V
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Technische Details NTMFS0D8N02P1ET1G onsemi
Description: ONSEMI - NTMFS0D8N02P1ET1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 365 A, 0.00044 ohm, DFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 25V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 365A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 139W, Bauform - Transistor: DFN, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 440µohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Weitere Produktangebote NTMFS0D8N02P1ET1G nach Preis ab 2 EUR bis 7.46 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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NTMFS0D8N02P1ET1G | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 25V 55A 5-Pin SO-FL EP T/R |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTMFS0D8N02P1ET1G | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 25V 55A 5-Pin SO-FL EP T/R |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTMFS0D8N02P1ET1G | onsemi |
MOSFETs MOSFET, Power, 25V Single N-Channel, SO-8FL |
auf Bestellung 771 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NTMFS0D8N02P1ET1G | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 25V 55A/365A 5DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Ta), 365A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.68mOhm @ 46A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 139W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 2mA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +16V, -12V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8600 pF @ 13 V |
auf Bestellung 1841 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NTMFS0D8N02P1ET1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTMFS0D8N02P1ET1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 365 A, 0.00044 ohm, DFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 365A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 139W Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 440µohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 6 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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NTMFS0D8N02P1ET1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTMFS0D8N02P1ET1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 365 A, 0.00044 ohm, DFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 365A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 139W Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 440µohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 6 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NTMFS0D8N02P1ET1G | ONN |
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| NTMFS0D8N02P1ET1G |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 25V 55A 5-Pin SO-FL EP T/R
Trans MOSFET N-CH 25V 55A 5-Pin SO-FL EP T/R
auf Bestellung 1000 Stücke:
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 63+ | 2.8 EUR |
| 64+ | 2.65 EUR |
| 65+ | 2.52 EUR |
| 100+ | 2.38 EUR |
| 250+ | 2.25 EUR |
| 500+ | 2.12 EUR |
| 1000+ | 2 EUR |
| NTMFS0D8N02P1ET1G |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 25V 55A 5-Pin SO-FL EP T/R
Trans MOSFET N-CH 25V 55A 5-Pin SO-FL EP T/R
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 63+ | 2.8 EUR |
| 64+ | 2.71 EUR |
| 65+ | 2.62 EUR |
| 100+ | 2.52 EUR |
| 250+ | 2.44 EUR |
| 500+ | 2.37 EUR |
| 1000+ | 2.27 EUR |
| NTMFS0D8N02P1ET1G |
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Hersteller: onsemi
MOSFETs MOSFET, Power, 25V Single N-Channel, SO-8FL
MOSFETs MOSFET, Power, 25V Single N-Channel, SO-8FL
auf Bestellung 771 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 4.71 EUR |
| 10+ | 3.69 EUR |
| 100+ | 3.06 EUR |
| 500+ | 2.93 EUR |
| 1000+ | 2.92 EUR |
| 1500+ | 2.64 EUR |
| NTMFS0D8N02P1ET1G |
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Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 25V 55A/365A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Ta), 365A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.68mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 139W (Tc)
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Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
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Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8600 pF @ 13 V
Description: MOSFET N-CH 25V 55A/365A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Ta), 365A (Tc)
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Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 139W (Tc)
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Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
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Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8600 pF @ 13 V
auf Bestellung 1841 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3+ | 7.46 EUR |
| 10+ | 4.89 EUR |
| 100+ | 3.45 EUR |
| 500+ | 3.12 EUR |
| NTMFS0D8N02P1ET1G |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFS0D8N02P1ET1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 365 A, 0.00044 ohm, DFN, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Kanaltyp: n-Kanal
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 440µohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - NTMFS0D8N02P1ET1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 365 A, 0.00044 ohm, DFN, Oberflächenmontage
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auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| NTMFS0D8N02P1ET1G |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFS0D8N02P1ET1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 365 A, 0.00044 ohm, DFN, Oberflächenmontage
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Description: ONSEMI - NTMFS0D8N02P1ET1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 365 A, 0.00044 ohm, DFN, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
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Qualifikation: -
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Produktpalette: -
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Kanaltyp: n-Kanal
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 440µohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| NTMFS0D8N02P1ET1G |
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Hersteller: ONN
auf Bestellung 845 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)