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NTMFS0D8N03CT1G

NTMFS0D8N03CT1G ON Semiconductor

ntmfs0d8n03c-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 54A 5-Pin SO-FL EP T/R
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Technische Details NTMFS0D8N03CT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - NTMFS0D8N03CT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 337 A, 620 µohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 337A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 150W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150W, Bauform - Transistor: SOIC, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 620µohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 620µohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
NTMFS0D8N03CT1G NTMFS0D8N03CT1G ONSEMI 3191516.pdf Description: ONSEMI - NTMFS0D8N03CT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 337 A, 620 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
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Verlustleistung Pd: 150W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: SOIC
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 620µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 620µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
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NTMFS0D8N03CT1G NTMFS0D8N03CT1G onsemi NTMFS0D8N03C-D.PDF MOSFETs MOSFET, Power, Single N-Channel, 30V, SO-8FL
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2+3.31 EUR
10+2.51 EUR
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NTMFS0D8N03CT1G NTMFS0D8N03CT1G ONSEMI 3191516.pdf Description: ONSEMI - NTMFS0D8N03CT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 337 A, 620 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
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Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 620µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
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NTMFS0D8N03CT1G 3191516.pdf
NTMFS0D8N03CT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFS0D8N03CT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 337 A, 620 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
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Bauform - Transistor: SOIC
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Anzahl der Pins: 8Pin(s)
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Hersteller: onsemi
MOSFETs MOSFET, Power, Single N-Channel, 30V, SO-8FL
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFS0D8N03CT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 337 A, 620 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 620µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
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