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NTMFS0D8N03CT1G

NTMFS0D8N03CT1G onsemi


NTMFS0D8N03C_D-2318744.pdf Hersteller: onsemi
MOSFET MOSFET, Power, Single N-Channel, 30V, SO-8FL
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Technische Details NTMFS0D8N03CT1G onsemi

Description: ONSEMI - NTMFS0D8N03CT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 337 A, 0.00062 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 337A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 150W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150W, Bauform - Transistor: SOIC, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 620µohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00062ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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NTMFS0D8N03CT1G NTMFS0D8N03CT1G Hersteller : ONSEMI 3191516.pdf Description: ONSEMI - NTMFS0D8N03CT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 337 A, 0.00062 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
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Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
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Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00062ohm
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NTMFS0D8N03CT1G NTMFS0D8N03CT1G Hersteller : onsemi ntmfs0d8n03c-d.pdf Description: MOSFET, POWER, SINGLE N-CHANNEL,
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NTMFS0D8N03CT1G NTMFS0D8N03CT1G Hersteller : ONSEMI 3191516.pdf Description: ONSEMI - NTMFS0D8N03CT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 337 A, 0.00062 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
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Anzahl der Pins: 8Pin(s)
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NTMFS0D8N03CT1G NTMFS0D8N03CT1G Hersteller : onsemi ntmfs0d8n03c-d.pdf Description: MOSFET, POWER, SINGLE N-CHANNEL,
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NTMFS0D8N03CT1G NTMFS0D8N03CT1G Hersteller : ON Semiconductor ntmfs0d8n03c-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 54A 5-Pin SO-FL EP T/R
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