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| Anzahl | Preis |
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| 2+ | 2.60 EUR |
| 10+ | 2.15 EUR |
| 100+ | 1.67 EUR |
| 500+ | 1.42 EUR |
| 1000+ | 1.15 EUR |
| 1500+ | 1.09 EUR |
| 3000+ | 1.03 EUR |
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Technische Details NTMFS0D9N04XMT1G onsemi
Description: ONSEMI - NTMFS0D9N04XMT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 273 A, 900 µohm, DFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 273A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 121W, Bauform - Transistor: DFN, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Weitere Produktangebote NTMFS0D9N04XMT1G nach Preis ab 1.31 EUR bis 5.24 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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NTMFS0D9N04XMT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 40V 48A 5-Pin SO-FL EP T/R |
auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTMFS0D9N04XMT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 40V 48A 5-Pin SO-FL EP T/R |
auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTMFS0D9N04XMT1G | Hersteller : onsemi |
Description: 40V T10M IN S08FL PACKAGE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta), 273A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 121W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3918 pF @ 20 V |
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| NTMFS0D9N04XMT1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTMFS0D9N04XMT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 273 A, 900 µohm, DFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 273A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 121W Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 1490 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NTMFS0D9N04XMT1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTMFS0D9N04XMT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 273 A, 900 µohm, DFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 273A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 121W Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 900µohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
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NTMFS0D9N04XMT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 40V 48A 5-Pin SO-FL EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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NTMFS0D9N04XMT1G | Hersteller : onsemi |
Description: 40V T10M IN S08FL PACKAGE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta), 273A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 121W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3918 pF @ 20 V |
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