Produkte > ONSEMI > NTMFS1D1N04XMT1G
NTMFS1D1N04XMT1G

NTMFS1D1N04XMT1G onsemi


ntmfs1d1n04xm-d.pdf Hersteller: onsemi
Description: 40V T10M IN S08FL PACKAGE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Ta), 233A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 120µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3138 pF @ 25 V
auf Bestellung 1500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1500+1.63 EUR
Mindestbestellmenge: 1500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details NTMFS1D1N04XMT1G onsemi

Description: ONSEMI - NTMFS1D1N04XMT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 233 A, 0.00105 ohm, DFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 233A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 104W, Bauform - Transistor: DFN, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00105ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Weitere Produktangebote NTMFS1D1N04XMT1G nach Preis ab 1.53 EUR bis 5.05 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
NTMFS1D1N04XMT1G NTMFS1D1N04XMT1G Hersteller : ON Semiconductor ntmfs1d1n04xm-d.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 44A 5-Pin SO-FL EP T/R
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
72+2.01 EUR
73+1.85 EUR
100+1.77 EUR
250+1.69 EUR
500+1.61 EUR
1000+1.53 EUR
Mindestbestellmenge: 72
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS1D1N04XMT1G NTMFS1D1N04XMT1G Hersteller : ON Semiconductor ntmfs1d1n04xm-d.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 44A 5-Pin SO-FL EP T/R
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
72+2.01 EUR
73+1.85 EUR
100+1.77 EUR
250+1.69 EUR
500+1.61 EUR
1000+1.53 EUR
Mindestbestellmenge: 72
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS1D1N04XMT1G NTMFS1D1N04XMT1G Hersteller : onsemi ntmfs1d1n04xm-d.pdf MOSFETs 40V T10M IN S08FL PACKAGE
auf Bestellung 1862 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+3.75 EUR
10+2.9 EUR
100+2.2 EUR
500+1.85 EUR
1000+1.76 EUR
1500+1.57 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS1D1N04XMT1G NTMFS1D1N04XMT1G Hersteller : onsemi ntmfs1d1n04xm-d.pdf Description: 40V T10M IN S08FL PACKAGE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Ta), 233A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 120µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3138 pF @ 25 V
auf Bestellung 1778 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+5.05 EUR
10+3.28 EUR
100+2.27 EUR
500+1.84 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS1D1N04XMT1G Hersteller : ONSEMI 4164775.pdf Description: ONSEMI - NTMFS1D1N04XMT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 233 A, 0.00105 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 233A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00105ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 1428 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS1D1N04XMT1G Hersteller : ONSEMI 4164775.pdf Description: ONSEMI - NTMFS1D1N04XMT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 233 A, 0.00105 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 233A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00105ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 1428 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS1D1N04XMT1G NTMFS1D1N04XMT1G Hersteller : ON Semiconductor ntmfs1d1n04xm-d.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 44A 5-Pin SO-FL EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH