| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 2+ | 2.39 EUR |
| 10+ | 1.53 EUR |
| 100+ | 1.01 EUR |
| 500+ | 0.8 EUR |
| 1000+ | 0.74 EUR |
| 1500+ | 0.71 EUR |
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Technische Details NTMFS2D3N04XMT1G onsemi
Description: ONSEMI - NTMFS2D3N04XMT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 111 A, 0.00235 ohm, DFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 111A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 53W, Bauform - Transistor: DFN, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00235ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Weitere Produktangebote NTMFS2D3N04XMT1G
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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| NTMFS2D3N04XMT1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTMFS2D3N04XMT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 111 A, 0.00235 ohm, DFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 111A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 53W Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00235ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 1455 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NTMFS2D3N04XMT1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTMFS2D3N04XMT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 111 A, 0.00235 ohm, DFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 111A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 53W Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00235ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 1455 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NTMFS2D3N04XMT1G | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 111A; Idm: 682A; 53W; DFN5 Case: DFN5 Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Gate charge: 22.1nC Power dissipation: 53W Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 40V Drain current: 111A Pulsed drain current: 682A On-state resistance: 2.35mΩ Polarisation: unipolar |
Produkt ist nicht verfügbar |