NTMFS2D5N08XT1G onsemi
Hersteller: onsemiDescription: T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 181A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 148W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 213µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 40 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
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| Anzahl | Preis |
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| 1500+ | 1.3 EUR |
| 3000+ | 1.21 EUR |
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Technische Details NTMFS2D5N08XT1G onsemi
Description: ONSEMI - NTMFS2D5N08XT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 181 A, 2100 µohm, DFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 181A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 148W, Bauform - Transistor: DFN, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Weitere Produktangebote NTMFS2D5N08XT1G nach Preis ab 1.48 EUR bis 4.7 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||||||
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NTMFS2D5N08XT1G | Hersteller : onsemi |
Description: T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 181A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 43A, 10V Power Dissipation (Max): 148W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 213µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 40 V |
auf Bestellung 3707 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NTMFS2D5N08XT1G | Hersteller : onsemi |
MOSFETs T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL |
auf Bestellung 147 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NTMFS2D5N08XT1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTMFS2D5N08XT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 181 A, 2100 µohm, DFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 181A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 148W Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 85 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTMFS2D5N08XT1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTMFS2D5N08XT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 181 A, 2100 µohm, DFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 181A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 148W Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 85 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NTMFS2D5N08XT1G | Hersteller : ONN |
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auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| NTMFS2D5N08XT1G | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 181A; Idm: 761A; 148W; DFN5 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 181A Pulsed drain current: 761A Power dissipation: 148W Case: DFN5 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.1mΩ Mounting: SMD Gate charge: 53nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
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