NTMFS3D0N08XT1G onsemi
Hersteller: onsemiDescription: T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 154A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 37A, 10V
Power Dissipation (Max): 133W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 184µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 40 V
auf Bestellung 63000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1500+ | 1.18 EUR |
| 3000+ | 1.11 EUR |
| 4500+ | 1.1 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details NTMFS3D0N08XT1G onsemi
Description: ONSEMI - NTMFS3D0N08XT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 154 A, 0.0026 ohm, DFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 154A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 133W, Bauform - Transistor: DFN, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Weitere Produktangebote NTMFS3D0N08XT1G nach Preis ab 1.31 EUR bis 3.85 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
NTMFS3D0N08XT1G | Hersteller : onsemi |
Description: T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 154A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 37A, 10V Power Dissipation (Max): 133W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 184µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 40 V |
auf Bestellung 63979 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
 |
NTMFS3D0N08XT1G | Hersteller : onsemi |
MOSFETs MOSFET - Power, Single, N-Channel, STD Gate. SO8FL-HEFET, 80V, 2.6mohm, 154 A MOSFET - Power, Single, N-Channel, STD Gate. SO8FL-HEFET, 80V, 2.6mohm, 154 A |
auf Bestellung 2290 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
| NTMFS3D0N08XT1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTMFS3D0N08XT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 154 A, 0.0026 ohm, DFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 154A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 133W Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 912 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
||||||||||||||||||
| NTMFS3D0N08XT1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTMFS3D0N08XT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 154 A, 0.0026 ohm, DFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 154A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 133W Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 912 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
||||||||||||||||||
| NTMFS3D0N08XT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
N-Channel MOSFET |
Produkt ist nicht verfügbar |
||||||||||||||||||
| NTMFS3D0N08XT1G | Hersteller : ONSEMI |
NTMFS3D0N08XT1G SMD N channel transistors |
Produkt ist nicht verfügbar |