| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 2+ | 2.32 EUR |
| 10+ | 1.46 EUR |
| 100+ | 0.97 EUR |
| 500+ | 0.76 EUR |
| 1000+ | 0.61 EUR |
| 1500+ | 0.57 EUR |
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Technische Details NTMFS3D1N04XMT1G onsemi
Description: ONSEMI - NTMFS3D1N04XMT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 83 A, 0.0031 ohm, DFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 83A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 39W, Bauform - Transistor: DFN, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Weitere Produktangebote NTMFS3D1N04XMT1G
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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NTMFS3D1N04XMT1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTMFS3D1N04XMT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 83 A, 0.0031 ohm, DFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 83A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 39W Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 980 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTMFS3D1N04XMT1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTMFS3D1N04XMT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 83 A, 0.0031 ohm, DFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 83A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 39W Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 980 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NTMFS3D1N04XMT1G | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 83A; Idm: 506A; 39W; DFN5 Case: DFN5 Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Gate charge: 15.6nC Power dissipation: 39W Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 40V Drain current: 83A Pulsed drain current: 506A On-state resistance: 3.1mΩ Polarisation: unipolar |
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