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NTMFS3D5N08XT1G

NTMFS3D5N08XT1G onsemi

ntmfs3d5n08x-d.pdf
Hersteller: onsemi
Description: T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2680 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 153µA
Power Dissipation (Max): 119W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 31A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 135A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1500+1.2 EUR
3000+1.12 EUR
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Technische Details NTMFS3D5N08XT1G onsemi

Description: ONSEMI - NTMFS3D5N08XT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 135 A, 0.003 ohm, DFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 135A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 119W, Bauform - Transistor: DFN, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Weitere Produktangebote NTMFS3D5N08XT1G nach Preis ab 1.24 EUR bis 4.27 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
NTMFS3D5N08XT1G NTMFS3D5N08XT1G onsemi ntmfs3d5n08x-d.pdf MOSFETs MOSFET - Power, Single, N-Channel, STD Gate. SO8FL-HEFET, 80V, 3.0mohm, 135 A MOSFET - Power, Single, N-Channel, STD Gate. SO8FL-HEFET, 80V, 3.0mohm, 135 A
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1+3.37 EUR
10+2.56 EUR
100+1.99 EUR
500+1.69 EUR
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NTMFS3D5N08XT1G NTMFS3D5N08XT1G onsemi ntmfs3d5n08x-d.pdf Description: T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2680 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 153µA
Power Dissipation (Max): 119W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 31A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 135A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 7634 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.94 EUR
10+2.52 EUR
100+1.71 EUR
500+1.37 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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NTMFS3D5N08XT1G NTMFS3D5N08XT1G ON Semiconductor ntmfs3d5n08x-d.pdf MOSFET - Power, Single N-Channel, STD Gate,SO8FL
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 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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NTMFS3D5N08XT1G ONSEMI 4164748.pdf Description: ONSEMI - NTMFS3D5N08XT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 135 A, 0.003 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 135A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 119W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 2980 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.93 EUR
113+1.89 EUR
500+1.52 EUR
1000+1.44 EUR
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NTMFS3D5N08XT1G ONSEMI 4164748.pdf Description: ONSEMI - NTMFS3D5N08XT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 135 A, 0.003 ohm, DFN, Oberflächenmontage
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Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
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MOSFETs MOSFET - Power, Single, N-Channel, STD Gate. SO8FL-HEFET, 80V, 3.0mohm, 135 A MOSFET - Power, Single, N-Channel, STD Gate. SO8FL-HEFET, 80V, 3.0mohm, 135 A
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NTMFS3D5N08XT1G
Hersteller: onsemi
Description: T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2680 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 153µA
Power Dissipation (Max): 119W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 31A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 135A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
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AnzahlPrivatkunde
6+3.94 EUR
10+2.52 EUR
100+1.71 EUR
500+1.37 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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auf Bestellung 20 Stücke:
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MOSFET - Power, Single N-Channel, STD Gate,SO8FL
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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NTMFS3D5N08XT1G 4164748.pdf
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFS3D5N08XT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 135 A, 0.003 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
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Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 2980 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.93 EUR
113+1.89 EUR
500+1.52 EUR
1000+1.44 EUR
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFS3D5N08XT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 135 A, 0.003 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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rohsCompliant: Y-EX
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
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59+4.27 EUR
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Hersteller: ONN
auf Bestellung 10500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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