NTMFS3D6N10MCLT1G ONSEMI
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFS3D6N10MCLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 131 A, 3000 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 131A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 136W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: DFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.003ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details NTMFS3D6N10MCLT1G ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFS3D6N10MCLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 131 A, 3000 µohm, DFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 131A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 136W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 136W, Bauform - Transistor: DFN, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.003ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote NTMFS3D6N10MCLT1G nach Preis ab 2.32 EUR bis 7.54 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NTMFS3D6N10MCLT1G | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 100V 19.5A/131A 5DFN Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4411 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 270µA Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 48A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.5A (Ta), 131A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Packaging: Cut Tape (CT) |
auf Bestellung 586 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||
 |
NTMFS3D6N10MCLT1G | onsemi |
MOSFETs PTNG 100V LL NCH SO-8FL FOR INDUSTRIAL MARKET |
auf Bestellung 15539 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||
|
|
NTMFS3D6N10MCLT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTMFS3D6N10MCLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 131 A, 3000 µohm, DFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 131A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 136W Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 372 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
| NTMFS3D6N10MCLT1G |
|
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 19.5A/131A 5DFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4411 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 270µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 48A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.5A (Ta), 131A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: MOSFET N-CH 100V 19.5A/131A 5DFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4411 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 270µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 48A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.5A (Ta), 131A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 586 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 5+ | 5.02 EUR |
| 10+ | 3.27 EUR |
| 100+ | 2.61 EUR |
| 500+ | 2.53 EUR |
| NTMFS3D6N10MCLT1G |
|
Hersteller: onsemi
MOSFETs PTNG 100V LL NCH SO-8FL FOR INDUSTRIAL MARKET
MOSFETs PTNG 100V LL NCH SO-8FL FOR INDUSTRIAL MARKET
auf Bestellung 15539 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 5.7 EUR |
| 10+ | 4 EUR |
| 100+ | 2.87 EUR |
| 500+ | 2.51 EUR |
| 1000+ | 2.32 EUR |
| NTMFS3D6N10MCLT1G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFS3D6N10MCLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 131 A, 3000 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 131A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - NTMFS3D6N10MCLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 131 A, 3000 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 131A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 372 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 34+ | 7.54 EUR |
| 48+ | 4.91 EUR |
| 100+ | 3.26 EUR |