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NTMFS4936NT1G

NTMFS4936NT1G onsemi

ntmfs4936n-d.pdf Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 11.6A/79A 5DFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.6A (Ta), 79A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 920mW (Ta), 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3044 pF @ 15 V
auf Bestellung 441321 Stücke:
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Technische Details NTMFS4936NT1G onsemi

Description: ONSEMI - NTMFS4936NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 79 A, 0.0029 ohm, SO-8 FL, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 79A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 43W, Bauform - Transistor: SO-8 FL, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: PW Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0029ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis ohne MwSt
NTMFS4936NT1G NTMFS4936NT1G Hersteller : ON Semiconductor NTMFS4936N_D-1814160.pdf MOSFET NFET SO8FL 30V
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NTMFS4936NT1G NTMFS4936NT1G Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0013300144-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NTMFS4936NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 79 A, 0.0029 ohm, SO-8 FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 79A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 43W
Bauform - Transistor: SO-8 FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0029ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 441321 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTMFS4936NT1G Hersteller : ON Semiconductor ntmfs4936n-d.pdf
auf Bestellung 36 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
NTMFS4936NT1G NTMFS4936NT1G Hersteller : ON Semiconductor ntmfs4936n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 19.5A 5-Pin SO-FL EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
NTMFS4936NT1G NTMFS4936NT1G Hersteller : onsemi ntmfs4936n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 11.6A/79A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.6A (Ta), 79A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 920mW (Ta), 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3044 pF @ 15 V
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