NTMFS4C05NT1G onsemi
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 11.9A 5DFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1972 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 770mW (Ta), 33W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.9A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1500+ | 0.52 EUR |
| 3000+ | 0.33 EUR |
| 4500+ | 0.32 EUR |
| 7500+ | 0.31 EUR |
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Technische Details NTMFS4C05NT1G onsemi
Description: ONSEMI - NTMFS4C05NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 78 A, 3400 µohm, DFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 78A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V, Verlustleistung: 33W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: DFN, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm.
Weitere Produktangebote NTMFS4C05NT1G nach Preis ab 0.27 EUR bis 1.15 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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NTMFS4C05NT1G | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 21.7A 5-Pin SO-FL EP T/R |
auf Bestellung 118500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTMFS4C05NT1G | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 21.7A 5-Pin SO-FL EP T/R |
auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTMFS4C05NT1G | onsemi |
MOSFETs Single N-Channel Power MOSFET 30V, 78A, 3.4mohm |
auf Bestellung 15138 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NTMFS4C05NT1G | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 30V 11.9A 5DFN Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1972 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 770mW (Ta), 33W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 30A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.9A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Packaging: Cut Tape (CT) |
auf Bestellung 8286 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NTMFS4C05NT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTMFS4C05NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 78 A, 3400 µohm, DFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 78A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V Verlustleistung: 33W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm |
auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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NTMFS4C05NT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTMFS4C05NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 78 A, 3400 µohm, DFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 78A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V Verlustleistung: 33W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm |
auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| NTMFS4C05NT1G | ON Semiconductor |
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auf Bestellung 831 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| NTMFS4C05NT1G |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 21.7A 5-Pin SO-FL EP T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 21.7A 5-Pin SO-FL EP T/R
auf Bestellung 118500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 784+ | 0.83 EUR |
| 1000+ | 0.76 EUR |
| 10000+ | 0.65 EUR |
| 100000+ | 0.54 EUR |
| NTMFS4C05NT1G |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 21.7A 5-Pin SO-FL EP T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 21.7A 5-Pin SO-FL EP T/R
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 784+ | 0.83 EUR |
| 1000+ | 0.76 EUR |
| NTMFS4C05NT1G |
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Hersteller: onsemi
MOSFETs Single N-Channel Power MOSFET 30V, 78A, 3.4mohm
MOSFETs Single N-Channel Power MOSFET 30V, 78A, 3.4mohm
auf Bestellung 15138 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3+ | 1.15 EUR |
| 10+ | 0.86 EUR |
| 100+ | 0.58 EUR |
| 500+ | 0.54 EUR |
| 1500+ | 0.5 EUR |
| 3000+ | 0.31 EUR |
| 24000+ | 0.27 EUR |
| NTMFS4C05NT1G |
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Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 11.9A 5DFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1972 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 770mW (Ta), 33W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.9A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: MOSFET N-CH 30V 11.9A 5DFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1972 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 770mW (Ta), 33W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.9A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 8286 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 19+ | 1.15 EUR |
| 25+ | 0.87 EUR |
| 100+ | 0.57 EUR |
| 500+ | 0.51 EUR |
| NTMFS4C05NT1G |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFS4C05NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 78 A, 3400 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 78A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 33W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
Description: ONSEMI - NTMFS4C05NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 78 A, 3400 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 78A
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Qualifikation: -
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| NTMFS4C05NT1G |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFS4C05NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 78 A, 3400 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 78A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 33W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
Description: ONSEMI - NTMFS4C05NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 78 A, 3400 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 78A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 33W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| NTMFS4C05NT1G |
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Hersteller: ON Semiconductor
auf Bestellung 831 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)