NTMFS4C05NT1G onsemi
Hersteller: onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 11.9A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 770mW (Ta), 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1972 pF @ 15 V
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1500+ | 0.44 EUR |
| 3000+ | 0.28 EUR |
| 4500+ | 0.27 EUR |
| 7500+ | 0.26 EUR |
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Technische Details NTMFS4C05NT1G onsemi
Description: ONSEMI - NTMFS4C05NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 78 A, 3400 µohm, DFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 78A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 33W, Bauform - Transistor: DFN, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote NTMFS4C05NT1G nach Preis ab 0.23 EUR bis 0.97 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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NTMFS4C05NT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 21.7A 5-Pin SO-FL EP T/R |
auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTMFS4C05NT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 21.7A 5-Pin SO-FL EP T/R |
auf Bestellung 118500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTMFS4C05NT1G | Hersteller : onsemi |
MOSFETs Single N-Channel Power MOSFET 30V, 78A, 3.4mohm |
auf Bestellung 15138 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NTMFS4C05NT1G | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 30V 11.9A 5DFNPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 770mW (Ta), 33W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1972 pF @ 15 V |
auf Bestellung 8286 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NTMFS4C05NT1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTMFS4C05NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 78 A, 3400 µohm, DFN, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 78A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 33W Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 3046 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTMFS4C05NT1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTMFS4C05NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 78 A, 3400 µohm, DFN, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 78A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 33W Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 3046 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NTMFS4C05NT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
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auf Bestellung 831 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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NTMFS4C05NT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 21.7A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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NTMFS4C05NT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 21.7A 5-Pin SO-FL EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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NTMFS4C05NT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 21.7A 5-Pin SO-FL EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |

