NTMFS4C09NAT1G ON Semiconductor
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 644+ | 0.83 EUR |
| 1000+ | 0.74 EUR |
| 10000+ | 0.64 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details NTMFS4C09NAT1G ON Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 9A/52A 5DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 52A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 760mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA, Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL), Part Status: Active, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.9 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1252 pF @ 15 V.
Weitere Produktangebote NTMFS4C09NAT1G nach Preis ab 0.51 EUR bis 2.13 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
NTMFS4C09NAT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 30V 16.4A 5-Pin SO-FL EP |
auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||
|
|
NTMFS4C09NAT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 16.4A 5-Pin SO-FL EP |
auf Bestellung 4998 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||
|
|
NTMFS4C09NAT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 16.4A 5-Pin SO-FL EP |
auf Bestellung 685500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||
|
|
NTMFS4C09NAT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 16.4A 5-Pin SO-FL EP |
auf Bestellung 656 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||
 |
NTMFS4C09NAT1G | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 30V 9A/52A 5DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 52A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 760mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Part Status: Active Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.9 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1252 pF @ 15 V |
auf Bestellung 1497 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||
 |
NTMFS4C09NAT1G | Hersteller : onsemi |
MOSFETs NFET SO8FL 30V 52A 5.8M |
auf Bestellung 1589 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||
| NTMFS4C09NAT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
auf Bestellung 7490 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
|||||||||||||||
| NTMFS4C09NAT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
MOSFET N-CH 30V 9A SO8FL |
Produkt ist nicht verfügbar |
||||||||||||||
|
|
NTMFS4C09NAT1G | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 30V 9A/52A 5DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 52A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 760mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Part Status: Active Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.9 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1252 pF @ 15 V |
Produkt ist nicht verfügbar |