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NTMFS4C10NT1G-001

NTMFS4C10NT1G-001 onsemi

ntmfs4c10n-d.pdf Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 8.2A/46A 5DFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Ta), 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.95mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 987 pF @ 15 V
auf Bestellung 668206 Stücke:
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Technische Details NTMFS4C10NT1G-001 onsemi

Description: ONSEMI - NTMFS4C10NT1G-001 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 46 A, 0.0058 ohm, SO-8 FL, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 46A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 23.6W, Bauform - Transistor: SO-8 FL, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: PW Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0058ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).

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NTMFS4C10NT1G-001 NTMFS4C10NT1G-001 Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0000775534-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NTMFS4C10NT1G-001 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 46 A, 0.0058 ohm, SO-8 FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 23.6W
Bauform - Transistor: SO-8 FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0058ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 668206 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
NTMFS4C10NT1G-001 NTMFS4C10NT1G-001 Hersteller : onsemi ntmfs4c10n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 8.2A/46A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Ta), 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.95mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 987 pF @ 15 V
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NTMFS4C10NT1G-001 NTMFS4C10NT1G-001 Hersteller : onsemi NTMFS4C10N_D-339503.pdf MOSFET NFET SO8FL 30V 46A 6.96MO
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