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NTMFS5C426NLT1G

NTMFS5C426NLT1G ON Semiconductor

ntmfs5c426nl-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 40V 41A 5-Pin SO-FL EP T/R
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Technische Details NTMFS5C426NLT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - NTMFS5C426NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 237 A, 1000 µohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 237A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 128W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, Verlustleistung: 128W, SVHC: Lead (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: SOIC, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.001ohm, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000µohm.

Weitere Produktangebote NTMFS5C426NLT1G nach Preis ab 1.04 EUR bis 5.05 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
NTMFS5C426NLT1G NTMFS5C426NLT1G onsemi ntmfs5c426nl-d.pdf Description: SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET 40
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 237A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 128W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 25 V
auf Bestellung 6000 Stücke:
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1500+1.44 EUR
3000+1.39 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
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NTMFS5C426NLT1G NTMFS5C426NLT1G ON Semiconductor ntmfs5c426nl-d.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 41A 5-Pin SO-FL EP T/R
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91+1.96 EUR
101+1.71 EUR
105+1.58 EUR
107+1.5 EUR
119+1.29 EUR
250+1.23 EUR
500+1.06 EUR
1000+1.04 EUR
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NTMFS5C426NLT1G NTMFS5C426NLT1G ON Semiconductor ntmfs5c426nl-d.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 41A 5-Pin SO-FL EP T/R
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91+1.96 EUR
101+1.75 EUR
105+1.64 EUR
107+1.58 EUR
119+1.4 EUR
250+1.37 EUR
500+1.2 EUR
1000+1.17 EUR
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NTMFS5C426NLT1G NTMFS5C426NLT1G onsemi ntmfs5c426nl-d.pdf Description: SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET 40
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 237A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 128W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 25 V
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NTMFS5C426NLT1G NTMFS5C426NLT1G ONSEMI ntmfs5c426nl-d.pdf Description: ONSEMI - NTMFS5C426NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 237 A, 1000 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 237A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 128W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000µohm
auf Bestellung 1422 Stücke:
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59+4.3 EUR
122+1.9 EUR
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NTMFS5C426NLT1G NTMFS5C426NLT1G ONSEMI ntmfs5c426nl-d.pdf Description: ONSEMI - NTMFS5C426NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 237 A, 1000 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 237A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 128W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 128W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOIC
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.001ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000µohm
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NTMFS5C426NLT1G NTMFS5C426NLT1G onsemi NTMFS5C426NL_D-2318777.pdf MOSFET 40V 1.2 MOHM T6 S08FL SINGLE
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500+2.81 EUR
1000+2.39 EUR
1500+2.28 EUR
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Hersteller: onsemi
Description: SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET 40
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 237A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 128W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 25 V
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Trans MOSFET N-CH 40V 41A 5-Pin SO-FL EP T/R
auf Bestellung 1500 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
91+1.96 EUR
101+1.71 EUR
105+1.58 EUR
107+1.5 EUR
119+1.29 EUR
250+1.23 EUR
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NTMFS5C426NLT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 40V 41A 5-Pin SO-FL EP T/R
auf Bestellung 1500 Stücke:
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91+1.96 EUR
101+1.75 EUR
105+1.64 EUR
107+1.58 EUR
119+1.4 EUR
250+1.37 EUR
500+1.2 EUR
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NTMFS5C426NLT1G
Hersteller: onsemi
Description: SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET 40
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 237A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 128W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 25 V
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
6+3.75 EUR
10+2.76 EUR
100+2.08 EUR
500+1.67 EUR
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NTMFS5C426NLT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFS5C426NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 237 A, 1000 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 237A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 128W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000µohm
auf Bestellung 1422 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
59+4.3 EUR
122+1.9 EUR
136+1.57 EUR
500+1.14 EUR
1000+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 59 Stücke
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NTMFS5C426NLT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFS5C426NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 237 A, 1000 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 237A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 128W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 128W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOIC
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.001ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000µohm
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AnzahlPrivatkunde
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122+1.9 EUR
136+1.57 EUR
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1000+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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NTMFS5C426NLT1G NTMFS5C426NL_D-2318777.pdf
NTMFS5C426NLT1G
Hersteller: onsemi
MOSFET 40V 1.2 MOHM T6 S08FL SINGLE
auf Bestellung 1500 Stücke:
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1+5.05 EUR
10+4.21 EUR
100+3.36 EUR
250+3.08 EUR
500+2.81 EUR
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