NTMFS5C426NLT1G ON Semiconductor
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| Anzahl | Preis |
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Technische Details NTMFS5C426NLT1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - NTMFS5C426NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 237 A, 0.001 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 237A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 128W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 128W, Bauform - Transistor: SOIC, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.001ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.001ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Weitere Produktangebote NTMFS5C426NLT1G nach Preis ab 0.86 EUR bis 4.24 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||||
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NTMFS5C426NLT1G | Hersteller : onsemi |
 Description: SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET 40Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 237A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 128W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 25 V |
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NTMFS5C426NLT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 40V 41A 5-Pin SO-FL EP T/R |
auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTMFS5C426NLT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 40V 41A 5-Pin SO-FL EP T/R |
auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTMFS5C426NLT1G | Hersteller : onsemi |
Description: SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET 40 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 237A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 128W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 25 V |
auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NTMFS5C426NLT1G | Hersteller : onsemi |
MOSFET 40V 1.2 MOHM T6 S08FL SINGLE |
auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 1146-1150 Tag (e) |
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NTMFS5C426NLT1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTMFS5C426NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 237 A, 0.001 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 237A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 128W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.001ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
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NTMFS5C426NLT1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTMFS5C426NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 237 A, 0.001 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 237A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 128W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 128W Bauform - Transistor: SOIC Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.001ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.001ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
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NTMFS5C426NLT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 40V 41A 5-Pin SO-FL EP T/R |
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| NTMFS5C426NLT1G | Hersteller : ONSEMI |
NTMFS5C426NLT1G SMD N channel transistors |
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