NTMFS5C612NT1G-TE ON Semiconductor
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 30+ | 6.1 EUR |
| 32+ | 5.16 EUR |
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Technische Details NTMFS5C612NT1G-TE ON Semiconductor
Description: ONSEMI - NTMFS5C612NT1G-TE - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 230 A, 1400 µohm, DFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 230A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 170W, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018), Bauform - Transistor: DFN, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm.
Weitere Produktangebote NTMFS5C612NT1G-TE nach Preis ab 5.2 EUR bis 12.95 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||
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NTMFS5C612NT1G-TE | ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 60V 35A 5-Pin SO-FL EP T/R |
auf Bestellung 417 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTMFS5C612NT1G-TE | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 60V 35A/230A 5DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 230A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 170W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4830 pF @ 25 V |
auf Bestellung 1054 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NTMFS5C612NT1G-TE | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTMFS5C612NT1G-TE - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 230 A, 1400 µohm, DFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 230A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 170W SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm |
auf Bestellung 542 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTMFS5C612NT1G-TE | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTMFS5C612NT1G-TE - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 230 A, 1400 µohm, DFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 230A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 170W SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm |
auf Bestellung 542 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NTMFS5C612NT1G-TE |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 35A 5-Pin SO-FL EP T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 35A 5-Pin SO-FL EP T/R
auf Bestellung 417 Stücke:
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 30+ | 6.1 EUR |
| NTMFS5C612NT1G-TE |
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Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 35A/230A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 230A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4830 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 60V 35A/230A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 230A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4830 pF @ 25 V
auf Bestellung 1054 Stücke:
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3+ | 10 EUR |
| 10+ | 8.39 EUR |
| 100+ | 6.78 EUR |
| 500+ | 6.03 EUR |
| NTMFS5C612NT1G-TE |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFS5C612NT1G-TE - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 230 A, 1400 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 230A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 170W
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm
Description: ONSEMI - NTMFS5C612NT1G-TE - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 230 A, 1400 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 230A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 170W
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm
auf Bestellung 542 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 20+ | 12.95 EUR |
| 29+ | 8.06 EUR |
| 100+ | 5.62 EUR |
| 500+ | 5.2 EUR |
| NTMFS5C612NT1G-TE |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFS5C612NT1G-TE - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 230 A, 1400 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 230A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 170W
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm
Description: ONSEMI - NTMFS5C612NT1G-TE - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 230 A, 1400 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 230A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 170W
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm
auf Bestellung 542 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
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| 29+ | 8.06 EUR |
| 100+ | 5.62 EUR |
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