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NTMFS5C612NT1G-TE ON Semiconductor


ntmfs5c612n-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 35A 5-Pin SO-FL EP T/R
auf Bestellung 417 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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Technische Details NTMFS5C612NT1G-TE ON Semiconductor

Description: ONSEMI - NTMFS5C612NT1G-TE - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 230 A, 0.0014 ohm, DFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 230A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 170W, Bauform - Transistor: DFN, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Weitere Produktangebote NTMFS5C612NT1G-TE nach Preis ab 5.19 EUR bis 14.17 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
NTMFS5C612NT1G-TE NTMFS5C612NT1G-TE ON Semiconductor ntmfs5c612n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 35A 5-Pin SO-FL EP T/R
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NTMFS5C612NT1G-TE NTMFS5C612NT1G-TE onsemi ntmfs5c612n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 35A/230A 5DFN
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 170W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 230A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4830 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
auf Bestellung 1054 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+10 EUR
10+8.39 EUR
100+6.78 EUR
500+6.03 EUR
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NTMFS5C612NT1G-TE NTMFS5C612NT1G-TE ONSEMI 3168487.pdf Description: ONSEMI - NTMFS5C612NT1G-TE - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 230 A, 0.0014 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 230A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 1480 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+14.17 EUR
27+8.82 EUR
100+5.87 EUR
500+5.3 EUR
1000+5.19 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
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NTMFS5C612NT1G-TE NTMFS5C612NT1G-TE ONSEMI 3168487.pdf Description: ONSEMI - NTMFS5C612NT1G-TE - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 230 A, 0.0014 ohm, DFN, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
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Anzahl der Pins: 5Pin(s)
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Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 1480 Stücke:
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18+14.17 EUR
27+8.82 EUR
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NTMFS5C612NT1G-TE ntmfs5c612n-d.pdf
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Description: MOSFET N-CH 60V 35A/230A 5DFN
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 170W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 230A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4830 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
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NTMFS5C612NT1G-TE 3168487.pdf
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFS5C612NT1G-TE - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 230 A, 0.0014 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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Qualifikation: -
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usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
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Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
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NTMFS5C612NT1G-TE 3168487.pdf
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFS5C612NT1G-TE - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 230 A, 0.0014 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 230A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
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Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 1480 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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