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NTMFS5C645NT1G

NTMFS5C645NT1G ON Semiconductor

ntmfs5c645n-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 20A 5-Pin SO-FL EP T/R
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Technische Details NTMFS5C645NT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - NTMFS5C645NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 94 A, 3800 µohm, DFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 94A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 80W, Bauform - Transistor: DFN, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3800µohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Weitere Produktangebote NTMFS5C645NT1G nach Preis ab 2.49 EUR bis 7.65 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
NTMFS5C645NT1G NTMFS5C645NT1G ONSEMI 3672851.pdf Description: ONSEMI - NTMFS5C645NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 94 A, 3800 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 94A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3800µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1302 Stücke:
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500+2.52 EUR
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NTMFS5C645NT1G NTMFS5C645NT1G onsemi NTMFS5C645N_D-2905920.pdf MOSFET Single N-Channel Power Mosfet 60V, 94A, 4.5mohm
auf Bestellung 1270 Stücke:
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1+5.55 EUR
10+4.65 EUR
25+4.4 EUR
100+3.77 EUR
250+3.56 EUR
500+3.36 EUR
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NTMFS5C645NT1G NTMFS5C645NT1G onsemi ntmfs5c645n-d.pdf Description: 60 V 4.5 M 94 A SINGLE N CHANNEL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 80W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 94A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1510 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
auf Bestellung 1446 Stücke:
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3+7.39 EUR
10+4.86 EUR
100+3.4 EUR
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NTMFS5C645NT1G NTMFS5C645NT1G ONSEMI 3672851.pdf Description: ONSEMI - NTMFS5C645NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 94 A, 3800 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 94A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3800µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1302 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
33+7.65 EUR
47+5.01 EUR
100+3.27 EUR
500+2.52 EUR
1000+2.49 EUR
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NTMFS5C645NT1G 3672851.pdf
NTMFS5C645NT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFS5C645NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 94 A, 3800 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 94A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3800µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
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MOSFET Single N-Channel Power Mosfet 60V, 94A, 4.5mohm
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Description: 60 V 4.5 M 94 A SINGLE N CHANNEL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 80W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 94A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1510 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFS5C645NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 94 A, 3800 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 94A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3800µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1302 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
33+7.65 EUR
47+5.01 EUR
100+3.27 EUR
500+2.52 EUR
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Mindestbestellmenge: 33 Stücke
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