NTMFS5C645NT1G ON Semiconductor
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| Anzahl | Preis |
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Technische Details NTMFS5C645NT1G ON Semiconductor
Description: 60 V 4.5 M 94 A SINGLE N CHANNEL, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 94A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 80W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.4 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1510 pF @ 25 V.
Weitere Produktangebote NTMFS5C645NT1G nach Preis ab 2.34 EUR bis 6.21 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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NTMFS5C645NT1G | Hersteller : onsemi |
 MOSFET Single N-Channel Power Mosfet 60V, 94A, 4.5mohm |
auf Bestellung 1270 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NTMFS5C645NT1G | Hersteller : onsemi |
Description: 60 V 4.5 M 94 A SINGLE N CHANNEL Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 94A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 80W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1510 pF @ 25 V |
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NTMFS5C645NT1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTMFS5C645NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 94 A, 0.0038 ohm, DFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 94A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 80W Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0038ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 1423 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTMFS5C645NT1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTMFS5C645NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 94 A, 0.0038 ohm, DFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 94A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 80W Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0038ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 1423 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NTMFS5C645NT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 20A 5-Pin SO-FL EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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NTMFS5C645NT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 20A 5-Pin SO-FL EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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NTMFS5C645NT1G | Hersteller : onsemi |
Description: 60 V 4.5 M 94 A SINGLE N CHANNEL Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 94A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 80W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1510 pF @ 25 V |
Produkt ist nicht verfügbar |