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NTMFS5C670NLT1G

NTMFS5C670NLT1G ON Semiconductor

ntmfs5c670nl-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 17A 5-Pin SO-FL EP T/R
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Technische Details NTMFS5C670NLT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - NTMFS5C670NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 71 A, 6100 µohm, DFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 71A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 61W, Bauform - Transistor: DFN, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6100µohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

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NTMFS5C670NLT1G NTMFS5C670NLT1G Hersteller : onsemi ntmfs5c670nl-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 17A/71A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 71A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 61W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
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NTMFS5C670NLT1G NTMFS5C670NLT1G Hersteller : onsemi ntmfs5c670nl-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 17A/71A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 71A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 61W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
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NTMFS5C670NLT1G NTMFS5C670NLT1G Hersteller : onsemi ntmfs5c670nl-d.pdf MOSFETs Single N-Channel Power MOSFET 60V, 68A, 6.7mohm Power MOSFET 60 V, 6.7 m?, 68 A, Single N-Channel
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100+0.67 EUR
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1500+0.54 EUR
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Mindestbestellmenge: 2
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NTMFS5C670NLT1G NTMFS5C670NLT1G Hersteller : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDC91C1B399E12400CE&compId=NTMFS5C670NL.PDF?ci_sign=58794c142c93026eb89de92680ee144a83517f87 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; Idm: 440A; 1.8W; DFN5x6
Case: DFN5x6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain current: 50A
Drain-source voltage: 60V
Gate charge: 20nC
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 8.8mΩ
Power dissipation: 1.8W
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 440A
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
auf Bestellung 1654 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
25+2.95 EUR
39+1.86 EUR
43+1.69 EUR
100+1.46 EUR
500+1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 25
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NTMFS5C670NLT1G транзистор
Produktcode: 196929
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NTMFS5C670NLT1G NTMFS5C670NLT1G Hersteller : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDC91C1B399E12400CE&compId=NTMFS5C670NL.PDF?ci_sign=58794c142c93026eb89de92680ee144a83517f87 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; Idm: 440A; 1.8W; DFN5x6
Case: DFN5x6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain current: 50A
Drain-source voltage: 60V
Gate charge: 20nC
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 8.8mΩ
Power dissipation: 1.8W
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 440A
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1654 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
25+2.95 EUR
39+1.86 EUR
43+1.69 EUR
100+1.46 EUR
500+1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 25
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NTMFS5C670NLT1G NTMFS5C670NLT1G Hersteller : ONSEMI 2354968.pdf Description: ONSEMI - NTMFS5C670NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 71 A, 6100 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 71A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 61W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6100µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1509 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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NTMFS5C670NLT1G NTMFS5C670NLT1G Hersteller : ONSEMI 2354968.pdf Description: ONSEMI - NTMFS5C670NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 71 A, 6100 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 71A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 61W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6100µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
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NTMFS5C670NLT1G NTMFS5C670NLT1G Hersteller : ON Semiconductor ntmfs5c670nl-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 17A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
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