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Technische Details NTMFS5H419NLT1G onsemi
Description: ONSEMI - NTMFS5H419NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 155 A, 0.0017 ohm, DFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 155A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 89W, Bauform - Transistor: DFN, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm, SVHC: Lead (14-Jun-2023).
Weitere Produktangebote NTMFS5H419NLT1G nach Preis ab 2.08 EUR bis 3.72 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis ohne MwSt | ||||||||||
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NTMFS5H419NLT1G | Hersteller : onsemi |
 Description: MOSFET N-CH 40V 29A/155A 5DFNPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 155A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 89W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 20 V |
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NTMFS5H419NLT1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTMFS5H419NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 155 A, 0.0017 ohm, DFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 155A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 89W Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
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NTMFS5H419NLT1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTMFS5H419NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 155 A, 0.0017 ohm, DFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: Y-EX Verlustleistung: 89W Kanaltyp: n-Kanal euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 477 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NTMFS5H419NLT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
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NTMFS5H419NLT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 40V 29A 5-Pin SO-FL EP T/R |
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NTMFS5H419NLT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 40V 29A 5-Pin SO-FL EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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NTMFS5H419NLT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 40V 29A 5-Pin SO-FL EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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NTMFS5H419NLT1G | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 40V 29A/155A 5DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 155A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 89W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 20 V |
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