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NTMFS5H419NLT1G

NTMFS5H419NLT1G onsemi

ntmfs5h419nl-d.pdf Hersteller: onsemi
MOSFETs Single N-Channel Power MOSFET 40V, 150A, 2.1mohm
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Technische Details NTMFS5H419NLT1G onsemi

Description: ONSEMI - NTMFS5H419NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 155 A, 0.0017 ohm, DFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 155A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 89W, Bauform - Transistor: DFN, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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NTMFS5H419NLT1G NTMFS5H419NLT1G Hersteller : onsemi ntmfs5h419nl-d.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 29A/155A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 155A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 20 V
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NTMFS5H419NLT1G NTMFS5H419NLT1G Hersteller : ONSEMI ntmfs5h419nl-d.pdf Description: ONSEMI - NTMFS5H419NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 155 A, 0.0017 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 155A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
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NTMFS5H419NLT1G NTMFS5H419NLT1G Hersteller : ONSEMI ntmfs5h419nl-d.pdf Description: ONSEMI - NTMFS5H419NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 155 A, 0.0017 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 155A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
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NTMFS5H419NLT1G NTMFS5H419NLT1G Hersteller : ON Semiconductor ntmfs5h419nl-d.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 29A 5-Pin SO-FL EP T/R
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NTMFS5H419NLT1G NTMFS5H419NLT1G Hersteller : ON Semiconductor ntmfs5h419nl-d.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 29A 5-Pin SO-FL EP T/R
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NTMFS5H419NLT1G Hersteller : ONSEMI ntmfs5h419nl-d.pdf NTMFS5H419NLT1G SMD N channel transistors
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NTMFS5H419NLT1G NTMFS5H419NLT1G Hersteller : onsemi ntmfs5h419nl-d.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 29A/155A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 155A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 20 V
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