NTMFS5H419NLT1G ONSEMI
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFS5H419NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 155 A, 1700 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 155A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 89W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 2.57 EUR |
| 123+ | 1.75 EUR |
| 500+ | 1.43 EUR |
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Technische Details NTMFS5H419NLT1G ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFS5H419NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 155 A, 1700 µohm, DFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 155A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, Verlustleistung: 89W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: DFN, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm.
Weitere Produktangebote NTMFS5H419NLT1G nach Preis ab 1.26 EUR bis 5.38 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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NTMFS5H419NLT1G | onsemi |
MOSFETs T8 40V LOW COSS |
auf Bestellung 1890 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NTMFS5H419NLT1G | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 40V 29A/155A 5DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 155A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 89W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 20 V |
auf Bestellung 1110 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NTMFS5H419NLT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTMFS5H419NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 155 A, 1700 µohm, DFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 155A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V Verlustleistung: 89W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm |
auf Bestellung 888 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NTMFS5H419NLT1G | ON Semiconductor |
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auf Bestellung 2950 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| NTMFS5H419NLT1G |
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Hersteller: onsemi
MOSFETs T8 40V LOW COSS
MOSFETs T8 40V LOW COSS
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 3.8 EUR |
| 10+ | 2.26 EUR |
| 100+ | 1.68 EUR |
| 500+ | 1.38 EUR |
| 1000+ | 1.3 EUR |
| 1500+ | 1.26 EUR |
| NTMFS5H419NLT1G |
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Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 40V 29A/155A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 155A (Tc)
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Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
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Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 20 V
Description: MOSFET N-CH 40V 29A/155A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 155A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 89W (Tc)
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Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
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Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 20 V
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 6+ | 3.97 EUR |
| 10+ | 2.55 EUR |
| 100+ | 1.74 EUR |
| 500+ | 1.38 EUR |
| NTMFS5H419NLT1G |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFS5H419NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 155 A, 1700 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
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isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 89W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm
Description: ONSEMI - NTMFS5H419NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 155 A, 1700 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 155A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
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SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm
auf Bestellung 888 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 47+ | 5.38 EUR |
| 73+ | 3.2 EUR |
| 107+ | 2.01 EUR |
| 500+ | 1.7 EUR |
| NTMFS5H419NLT1G |
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Hersteller: ON Semiconductor
auf Bestellung 2950 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)