NTMFS6D1N08HT1G ON Semiconductor
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| Anzahl | Preis |
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| 144+ | 1.03 EUR |
| 146+ | 0.98 EUR |
| 165+ | 0.83 EUR |
| 250+ | 0.80 EUR |
| 500+ | 0.76 EUR |
| 1000+ | 0.72 EUR |
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Technische Details NTMFS6D1N08HT1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - NTMFS6D1N08HT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 89 A, 0.0045 ohm, DFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 89A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 104W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 104W, Bauform - Transistor: DFN, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0045ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Weitere Produktangebote NTMFS6D1N08HT1G nach Preis ab 0.68 EUR bis 2.52 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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NTMFS6D1N08HT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 80V 17A 5-Pin SO-FL EP T/R |
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NTMFS6D1N08HT1G | Hersteller : onsemi |
MOSFETs T8 80V 1 PART PROLI FERATI |
auf Bestellung 4095 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NTMFS6D1N08HT1G | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 80V 17A/89A 5DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 89A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 120µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2085 pF @ 40 V |
auf Bestellung 1430 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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NTMFS6D1N08HT1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTMFS6D1N08HT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 89 A, 0.0045 ohm, DFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 89A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 1683 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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NTMFS6D1N08HT1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTMFS6D1N08HT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 89 A, 0.0045 ohm, DFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 89A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 104W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 104W Bauform - Transistor: DFN Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0045ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
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| NTMFS6D1N08HT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
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NTMFS6D1N08HT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 80V 17A 5-Pin SO-FL EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| NTMFS6D1N08HT1G | Hersteller : ONSEMI |
NTMFS6D1N08HT1G SMD N channel transistors |
Produkt ist nicht verfügbar |
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NTMFS6D1N08HT1G | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 80V 17A/89A 5DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 89A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 120µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2085 pF @ 40 V |
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