Produkte > ONSEMI > NTMFS6H800NT1G
NTMFS6H800NT1G

NTMFS6H800NT1G onsemi

ntmfs6h800n-d.pdf
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 28A/203A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 203A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 330µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5530 pF @ 40 V
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1500+2.05 EUR
Mindestbestellmenge: 1500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details NTMFS6H800NT1G onsemi

Description: ONSEMI - NTMFS6H800NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 203 A, 1800 µohm, DFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 203A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200W, Bauform - Transistor: DFN, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1800µohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).

Weitere Produktangebote NTMFS6H800NT1G nach Preis ab 2.46 EUR bis 6.86 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
NTMFS6H800NT1G NTMFS6H800NT1G onsemi ntmfs6h800n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 28A/203A 5DFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5530 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 330µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 203A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 2368 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+4.77 EUR
10+3.8 EUR
100+2.71 EUR
500+2.51 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS6H800NT1G NTMFS6H800NT1G onsemi ntmfs6h800n-d.pdf MOSFETs TRENCH 8 80V NFET POWER MOSFET
auf Bestellung 88 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.86 EUR
10+4.51 EUR
100+3.52 EUR
500+2.85 EUR
1000+2.46 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS6H800NT1G NTMFS6H800NT1G ONSEMI ntmfs6h800n-d.pdf Description: ONSEMI - NTMFS6H800NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 203 A, 1800 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 203A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1800µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS6H800NT1G NTMFS6H800NT1G ONSEMI ntmfs6h800n-d.pdf Description: ONSEMI - NTMFS6H800NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 203 A, 1800 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 203A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1800µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS6H800NT1G ntmfs6h800n-d.pdf
NTMFS6H800NT1G
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 28A/203A 5DFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5530 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 330µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 203A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 2368 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+4.77 EUR
10+3.8 EUR
100+2.71 EUR
500+2.51 EUR
Mindestbestellmenge: 4
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS6H800NT1G ntmfs6h800n-d.pdf
NTMFS6H800NT1G
Hersteller: onsemi
MOSFETs TRENCH 8 80V NFET POWER MOSFET
auf Bestellung 88 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+6.86 EUR
10+4.51 EUR
100+3.52 EUR
500+2.85 EUR
1000+2.46 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS6H800NT1G ntmfs6h800n-d.pdf
NTMFS6H800NT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFS6H800NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 203 A, 1800 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 203A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1800µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
NTMFS6H800NT1G ntmfs6h800n-d.pdf
NTMFS6H800NT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMFS6H800NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 203 A, 1800 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 203A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1800µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH