auf Bestellung 1484 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 13+ | 4.13 EUR |
| 500+ | 3.98 EUR |
| 1500+ | 2.04 EUR |
| 3000+ | 1.94 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details NTMFS6H818NT1G onsemi
Description: ONSEMI - NTMFS6H818NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 123 A, 0.0031 ohm, DFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 123A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 136W, Bauform - Transistor: DFN, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm.
Weitere Produktangebote NTMFS6H818NT1G
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
|---|---|---|---|---|---|
 |
NTMFS6H818NT1G | Hersteller : ONSEMI |
 Description: ONSEMI - NTMFS6H818NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 123 A, 0.0031 ohm, DFN, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 123A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 136W Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm |
auf Bestellung 1370 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|
|
NTMFS6H818NT1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTMFS6H818NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 123 A, 0.0031 ohm, DFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 123A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 136W Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm |
auf Bestellung 1370 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
 |
NTMFS6H818NT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 80V 20A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
|
 |
NTMFS6H818NT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
NTMFS6H818NT1G ON Semiconductor Transistors MOSFETs N-CH 80V 20A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R - Arrow.com |
Produkt ist nicht verfügbar |
|
|
|
NTMFS6H818NT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
NTMFS6H818NT1G ON Semiconductor Transistors MOSFETs N-CH 80V 20A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R - Arrow.com |
Produkt ist nicht verfügbar |
|
 |
NTMFS6H818NT1G | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 80V 20A/123A 5DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 123A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 136W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 190µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 40 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
|
|
|
NTMFS6H818NT1G | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 80V 20A/123A 5DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 123A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 136W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 190µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 40 V |
Produkt ist nicht verfügbar |